behlke推挽式高压开关HTS 61-03-GSM

特点

● 半桥配置的高压推挽开关 

● 两条开关路径，实现快速上升 和下降时间 

● 安全 由于无源开关路径锁定而运行 

● 无交叉电流 

● 将精密高压方波脉冲转换为电容的理想选择 负载 

● 否 需要工作电阻 

● 否 大型高压输入储能电容器的必要性

注意

快速推挽开关（半桥）对反向电流非常敏来自感性负载或增加的布线电感。

反向电流可能以未定义的方式导通本征（寄生）MOSFET二极管。 这可能导致电桥开关路径内发生短路 

灾难性失败的进一步结果。请始终确保 没有电流摆回开关的输出端。

这应该得到验证 通过示波器在最大实际工作电压的 10% 下进行测量。 

请始终连接足够的缓冲电容器（最好是陶瓷 类型）直接输入高压并使用足够的串联阻尼 长输出接线情况下的电阻器。

MOSFET开关上的感性负载 始终需要快速续流二极管网络（串行阻断二极管 + 并联续流二极管）。

这种保护二极管网络可以 通过BEHLKE FDA系列的单个二极管安装在外部。 

它也可以作为选件 I-FWDN 集成到开关模块中。 

技术说明

BEHLKE推挽式开关具有 极限的上升和下降时间。如果您的应用程序不需要完整的 

开关速度我们建议您使用限速 选项 S-TT（上升和下降时间慢约 50%） 与输入低通滤波器选件 LP 组合使用。 

这些选项有助于最大限度地减少典型的高频困难 快速高压脉冲电路（例如自振荡或自振荡 重新触发）并简化 EMC 设计。

产品编号

 型号 包含有关电压、电流和导通行为的编码信息。 一位数字代表电压，单位为 kV，

最后一位数字在 破折号表示 开启行为（0 = 固定导通时间，1 = 可变导通时间）。

破折号后面的数字表示当前 安培 x10。特殊功能由字母编码 第二个破折号。示例 HTS 31-03-HB-C：

 HTS = 高压晶体管开关，3 = 3 kV，1 = 可变导通时间，03 = 30 安培，HB = 半桥，C = 紧凑系列。

技术参数

电压[kV] 2 x 6

电流[A] 2 x 30

电阻[Ω] 2 x 16 

导通时间[ns] 60...∞

尺寸[mm 3] 112 x 64 x 27

behlke推挽式高压开关HTS 61-03-GSM