DH2F100N4S快恢复二极管模块
商品替换/技术参数对比表 商品型号 商品品牌 Vrrm[V] If(av)[A] Vf(typ)[V] Trr(typ)[ns] Irrm(max[mA])@Tc=100 Circuit Diagram DA2F100N4S 韩国DAWIN 400 100X2 1.05 90 1.0 C *DA2F100N4S的理由:可*替代三社与安森美同类产品 参考价面议FMG2G150US60E FSAM15SH60A FSBB15CH60供应美国仙童 FairChild IGBT模块、单管、快恢复、MOS管、肖特基
专业致力于大功率模块的研发与生产,广泛用于逆变电焊机、变频器、UPS、大功率电源等领域。IGBT:600V/50A-200A 1200V/50A-200A 新一代软穿通型技术,IGBT模块1200V标准压降仅1.8V特别适合于软开关领域:低饱和压降、低开关损耗、宽安全工作区 参考价面议DM2G50SH12A DM2G75SH12A DM2G100SH12A DM2G150SH12A供应韩国大卫 DAWIN 大功率器件 IGBT模块、单管,场效应管
专业致力于大功率模块的研发与生产,广泛用于逆变电焊机、变频器、UPS、大功率电源等领域。目前是韩国大卫DAWIN半导体公司的代理商同时还代理FAIRCHILD半导体IGBT:600V/50A-200A 1200V/50A-200A 新一代软穿通型技术,IGBT模块1200V标准压降仅1.8V特别适合于软开关领域:低饱和压降、低开关损耗、宽安全工作区。FRD:300V-1200V 60A-300A 规格齐全,性能优异,Eas特性更好,回复时间更短。 参考价面议