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JKZC-YDZK50M型1000℃高温精密阻抗分析仪
¥111111YSS-C型岩体声发射仪
¥111111TH30A 型内环刀取砂器
¥111111TB3 型、TB4 型上提活塞敞口薄壁取土器
¥111111TS-2 型三重管单动取砂器
¥111111STA-2000型同步热分析仪
¥111111PVDF-300型桌式压电薄膜极化装置
¥111111LXQM-02A型立式半圆形行星球磨机
¥111111GTLJ-8型固态电池压力绝缘模具套装
¥111111BWML-500型小型变温薄膜双向拉伸试验仪
¥111111BSLY-1000型小型薄膜双向拉伸试验仪
¥111111BLDL-1000型高温熔融玻璃电导率测试装置
¥111111SCTS-2000系型双电测式四探针测试仪
SCTS-2000系型双电测式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高正确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
一、主要特点:
1、根据不同材料特性需要,探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头,以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;
2、也有球形镀金铜合金探针探头,可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。
3、换上四端子测试夹具,还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。
4、由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。
二、基本技术参数
3.1 测量范围
电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm
方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□
电 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω
3.2 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)
直 径:圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm,手持方式不限
SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm,手持方式不限.
长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限.
测量方位: 轴向、径向均可
3.3. 4-1/2 位数字电压表:
(1)量程: 20.00mV~2000mV
(2)误差:±0.1%读数±2 字
3.4 数控恒流源
(1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA,1A
(2)误差:±0.1%读数±2 字
3.5 四探针探头(选配其一或加配全部)
(1)碳化钨探针:Φ0.5mm,直线探针间距1.0mm,探针压力: 0~2kg 可调
(2)薄膜方阻探针:Φ0.7mm,直线或方形探针间距2.0mm,探针压力: 0~0.6kg 可调
3.6 电源
输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<20W
3.7 外形尺寸:
主机 220mm(长)×245 mm(宽)×100mm(高)