普赛斯仪表 品牌
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普赛斯HCPL100型半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(15us)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。
设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。
技术指标
电流脉宽 50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间 典型时间15us
输出脉冲电流 5 ~1000A量程,精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量 2独立通道
DUT电压测量 远端测量,峰值电压测量(取样点可配置)
DUT电压测量 0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV
DUT电压测量 0~3V量程,精度0.1%±3mV
DUT电压测量 0~18V量程,精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流,如3000A
支持输出极性反转
触发信号 支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸:长516x宽250x高160mm
半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块