普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对SiC功率半导体器件测试系统感兴趣，欢迎随时联系我们

普赛斯功率器件测试设备特点和优势：
 
单台Z大3500V输出；
 
单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；
 
15us的超快电流上升沿；
 
同步测量；
 
国标全指标的自动化测试；

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
 
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
 
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
 
输入电容、输出电容、反向传输电容           

续流二极管压降Vf
 
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
 

更多有关SiC功率半导体器件测试系统的信息欢迎随时联系我们，武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。