半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备
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PMST-3500V半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备

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具体成交价以合同协议为准
2024-07-15 13:43:14
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武汉普赛斯仪表有限公司

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产品简介

半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

详细介绍

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们!

半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备

系统特点

高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);        
大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);
高精度:支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;

半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备

半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备

测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备就找普赛斯仪表

半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备


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