E100-逆变器电性能测试高压电源-武汉普赛斯仪表有限公司手机版

详细介绍

逆变器电性能测试高压电源特点和优势：

十ms级的上升沿和下降沿；

单台最大3500V的输出；

0.1%测试精度；

同步电流或电压测量；

支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；

产品简介

高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

技术指标

电压性能参数：

电压	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
100V	10mV	0.1%±40mV	10mV	0.1%±40mV
600V	60mV	0.1%±100mV	60mV	0.1%±100mV
1200V	120mV	0.1%±300mV	120mV	0.1%±300mV
1500V	150mV	0.1%±400mV	150mV	0.1%±400mV
2200V	220mV	0.1%±700mV	200mV	0.1%±700mV
3500V	350mV	0.1%±900mV	350mV	0.1%±900mV

电流性能参数：

电流	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
1uA	100pA	0.1%±1nA	100pA	0.1%±1nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±10uA	10uA	0.1%±10uA

较大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间：< 5ms；

输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴），支持四线测量；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停；

触发：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸2U机箱；

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

逆变器电性能测试高压电源订货信息

型号	E100	E200	E300
源精度	0.1%	0.1%	0.1%
测量精度	0.1%	0.1%	0.1%
较大功率	120W	220W	350W
最小电压量程	100V	100V	100V
较大电压量程	1200V	2200V	3500V
最小电流量程	1uA	1uA	1uA
较大电流量程	100mA	100mA	100mA

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！