随着科技的不断进步和新材料的性能提升，功率半导体器件的结构正逐渐复杂化，而功率半导体的衬底材料也朝着大尺寸和新型材料的方向发展。特别是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料，因其出色的物理特性，如高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、高温稳定性以及能够承受大功率等，已经在汽车、充电桩、光伏发电、风力发电、消费电子、轨道交通、工业电机、储能、航空航天和军工等众多领域得到广泛应用。尤其是800V架构的出现，不仅直接提升了设备的性能，还从供给端、应用端和成本端带来了多重优势。这一发展趋势预示着，在未来五年内，新能源汽车将成为碳化硅（SiC）材料的主要应用领域。

        随着半导体技术的持续进步，制程工艺的不断提升，对半导体器件的测试和验证工作也日趋关键。功率半导体器件，作为一种特殊的复合全控型电压驱动器件，其显著特点在于同时具备高输入阻抗和低导通压降，这两大优势使其在应用中占有重要地位。然而，半导体功率器件的芯片属于电力电子芯片范畴，其工作环境恶劣，常常面临大电流、高电压、高频率等多重挑战，对芯片的可靠性要求及高。这种及端的工作环境对测试工作提出了更高要求，增加了测试的难度和复杂性。因此，我们必须持续优化测试方法，提高测试精度，以确保功率半导体器件在各种J端条件下都能稳定可靠地工作。

        鉴于碳化硅（SiC）体系固有的复杂界面缺陷，易引发显著的漂移特性。加之该材料存在多种不稳定机制，如陷阱充电（μs级或更低）、陷阱激活及陷阱恢复等，均对漂移电荷产生复杂影响。因此，相较于传统硅基（Si）材料，碳化硅的测试流程更为繁琐。随着行业发展，企业对于测试的需求亦有所转变，由原先的CP+FT模式扩展至CP+KGD test +DBC test+FT，甚至包括SLT测试等。此外，应用端的多样化导致终端厂商根据实际需求进行定制化封装，封装形式的多样性亦给测试工作带来不小的挑战。目前，三温测试中，低温测试在产线的需求尚不突出，但常温和高温测试已得到广泛应用。

        针对碳化硅（SiC）材料的读特性质，如阈值电压VGS（th）的漂移等，当前行业内存在多种测试标准，对测试设备的兼容性提出了较高要求。由于碳化硅的尺寸小且耐高温，这给测试过程带来了显著的应力挑战。传统的静态测试方法通过直流加电即可实现，但对于碳化硅芯片而言，若加电时间过长，将导致器件过热，从而测试失败。随着交通和电力领域对节能减排需求的日益迫切，精确测量功率器件在高流/高压条件下的I-V曲线或其他静态特性变得尤为重要，这对现有的器件测试工具提出了更高的要求。

        普赛斯仪表为满足用户在不同测试场景下的需求，正式升级推出了三款功率器件静态参数测试系统：PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统以及PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统。这些产品广泛适用于从实验室到小批量、大批量产线的权方位应用，覆盖Si IGBT、SiC MOS至GaN HEMT的各类功率器件，且可应用于晶圆、芯片、器件、模块乃至IPM的全面测试。

        PMST系列功率器件静态参数测试系统，是武汉普赛斯经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅提供IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还具备高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。其设计初衷在于全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的着越表现。

        普赛斯仪表作为国内手家成功实现高精密源/测量单元SMU产业化的企业，其PMST静态测试系统采用模块化集成设计，为用户提供了极大的灵活性和便捷性。通过模块化设计，用户可以轻松地添加或升级测量模块，以适应不断变化的测量需求，从而实现蕞优的性价比。此外，该系统还具有高度的易用性，使得任何工程师都能够快速掌握并使用，从而提升测试效率和产线UPH。