超低能锗探测器

超低能锗探测器

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2023-01-21 12:04:35
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上海朝悉仪器仪表有限公司

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产品简介

简要描述:超低能锗探测器特性和好处:• 适合于 300 eV 到300keV 谱学应用• 效率比 Si(Li)和SDD 高• 直到很高的技术速率都提供很好的峰形• 峰/本底比较高

详细介绍

超低能锗探测器

应用
• XRF
• XAS (XAFS, EXAFS,
XANES)
• X-射线谱学

描述:
Canberra 的超低能锗探测器(Ultra-LEGe) 把Ge 探测器的性能范围延伸到几百ev,提供过去的半导体
探测器所不能比拟的分辨率、峰形和峰/本底比。超低能锗探测器保持了锗探测器固有的高能效率特性,由于原子数(Z)高加上相对地高的厚度(5-10mm),因而能够转换比市场上任何单光子探测器更广的能量范围。下面的图2 把一个5 mm 厚的Ge 探测器X 射线谱高能端的效率与典型的基于硅的探测器作比较。通常的锗探测器-包括专门为低能应用制造的探测器-3keV 以下峰形和效率都很差。这曾经被认为是锗探测器的基本特性,使锗探测器不能应用于大多数分析X 射线的应用。Canberra 发明的制造技术消除了这些问题。由此产生的超低能锗探测器提供锗探测器本征效率和分辨率的优势,而没有通常锗探测器的缺点。

性能:
由于Canberra的探测器结构适用于所有低能锗探测器,各种尺寸的超低能锗探测器都能够提供的性能。例如,100mm2的超低能锗探测器在5.9keV的分辨率小于150eV(FWHM),而同样尺寸的Si ( Li )探测器的分辨率超过160eV ( FWHM )。Ultra-LEGe探测器的主要优点是它非常低的电容,这意味着即使在非常短的成形时间,该探测器也能保持好的能量分辨率。例如,一个50mm2 探测器以0.1 微秒成形时间和100 kcps 计数率计数时,在5.9 keV 处典型分辨率为300 eV (FWHM)。这使得Ultra-LEGe理想地适用于高计数率XRF和回旋加速器应用。Ultra-LEGe探测器表现出很好的峰-本底比(P/B)。.P/B-比定义为5.9 keV 处峰高除以1- 4 keV能量范围内计数的平均,一个Ultra-LEGe探测器的P/B典型值2000:1.。在图 1 中,Ultra-LEGe 超低能锗探测器对一个来自NIST22063 薄胶片标准类的X 射线谱表现出的分辨率、峰形和低本底噪声。这一谱是用装备聚合物窗的超低能锗探测器获取的,使用电子扫描显微镜激发的。


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