铟镓砷探测器-北京卓立汉光仪器有限公司手机版

详细介绍

详细内容

■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中：
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1）
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2）
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）

型号列表及主要技术指标：

参数	测试条件	DInGaAs1600			测试条件	DInGaAs1650			测试条件	DInGaAs1700
		*小值	典型值	值		*小值	典型值	值		*小值	典型值	值
光敏面直径（mm）		1.5				5				5
光谱响应		900-1600				800-1650				800-1700
范围（nm）
响应度Re（A/W）									@850nm	0.1	0.2
	VR=0V @1300nm	0.8	0.85	-	VR=10mV @1310nm	-	0.75	-	@1300nm	0.8	0.9
	VR=0V	0.85	0.9	-	VR=10mV @1550nm	-	0.8	-	峰值@1550nm		0.95
	@1550nm
暗电流Io（nA）	VR=0V		0.1	1			10		VR=0V		5	10
NEP （pW Hz-1/2）									@1550nm	0.28
信号输出模式		电流				电流				电流
输出信号极性		正（P）				正（P）				正（P）

■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs（x）-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：

型号列表及主要技术指标：

型号/参数	DInGaAs1700-TE	DInGaAs1900-TE	DInGaAs2200-TE	DInGaAs2400-TE	DInGaAs2600-TE
光敏面直径（mm）	3	3	3	3	3
波长范围（nm）	800-1700	800-1900	800-2200	800-2400	800-2600
峰值响应度（A/W）	0.9	1	1.1	1.15	1.2
D*（典型值）	8.4×10¹³	9.1×10¹²	1.9×10¹²	9.6×10¹¹	4.9×10¹¹
NEP（典型值）	3.2×10^-15	2.9×10^-14	1.4×10^-13	2.8×10^-13	5.5×10^-13
温控器型号	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC
探测器温度（℃）	-40	-40	-40	-40	-40
温度稳定度（℃）	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5
环境温度（℃）	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40
信号输出模式	电流	电流	电流	电流	电流
输出信号极性	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）
备注	制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZPA-7

铟镓砷探测器使用建议：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZPA-7（Page85）做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

产品简介

详细介绍

详细内容