这款硅光电探测器,silicon photodetectors是硅光探测器,硅光检测器,具有超高响应速度,适合高速激光探测。
硅光电探测器具有较大通光孔径可以接收直径10mm的激光光束，配置螺纹孔方便安装滤波片、衰减器、光纤适配器或其他光学元件，满足用户的特定需要。
硅光电探测器都有NIST可追踪校准和单独的波长校正,是探测210~1650nm低功率连续激光的理想硅光探测器。用户可以选择一种我们公司的激光衰减器,扩展硅光探测器的功能,以测量更高的激光功率。OD1的透过率10%， OD2的透过率是1%。当同时购买时，探测器是校准过的，不带衰减器。

硅光电探测器11PH特点
大口径设计,硅感光区域直径达10mm
提供三个版本型号
硅SI:350~1080nm, 达750mW；
硅-紫外（SiUV）版本：210~1080nm, 达25 mW；
锗版本：800~1650nm, 达500mW。
可供选择的衰减器有：
OD0.3: 50%透过率（只用于11PH100-SiUV版本）；
OD1: 10%透过率；
OD2: 1%透过率。
检测精度高,新型11PH100-Si-HA版本具有校准精度
用于精确校准,波长步进高达1nm
有智能接口，包含所有的校准数据。
硅光电探测器规格参数

Model	11PH100-Si-HA	11PH100-SiUV	11PH20-Ge
平均功率 (标配 /带衰减器OD2)	36 mW / 750 mW	4 mW / 30 mW	30 mW / 500 mW
有效孔径	10 mm Ø	10 mm Ø	5 mm Ø
测量能力
光谱范围	350 – 1080 nm	210 – 1080 nm	800 – 1650 nm
配衰减器OD0.3	---	210 – 1080 nm	---
配衰减器OD1	420 – 1080 nm	400 – 1080 nm	900 – 1650 nm
配衰减器OD2	630 – 1080 nm	---	950 – 1650 nm
可可测功率 a	36 mW @ 1064 nm	4 mW @ 532 nm	30mW @ 1064nm
配衰减器OD0.3	---	11 mW @ 300 nm	---
配衰减器OD1	300 mW @ 1064 nm	25 mW @ 532 nm	300mW @ 1064nm
配衰减器OD2	750 mW @ 1064 nm	---	500mW @ 1064nm
噪音等效功率 b	10 pW @ 980 nm	10 pW @ 850 nm	60pW @ 1550nm
上升沿时间	0.2 sec	0.2 sec	0.2 sec
峰值灵敏度	0.5 A/W @ 980 nm	0.45 A/W @ 850 nm	0.98A/W@1550nm
校准不确定性	±6.0 % (350 - 399 nm) ±2.0 % (400 - 449 nm) ±1.5 % ( 450 - 940 nm) ±2.0 % (941 - 980 nm) ±5.0 % (981 - 1049 nm) ±7.0 % (1050 - 1080 nm)	±8 % (200 ~219nm) ±6.5 %(220~399nm) ±2.5%(400~899nm) ±3.5% (900~999nm) ±5%(1000~1049nm) ±7%(1050~1080nm)	±3.5%(800~1650nm) --- --- --- --- ---
校准不确定性 (带衰减器OD filters)	±4.0 % (420 - 980 nm) ±5.0 % (981 - 1049 nm) ±7.0 % (1050 - 1080 nm)	±6.5%(210 ~399nm) ±5%(400 ~1049nm) ±7%(1050~080nm)	±5 %
激光损伤阈值
功率密度	100 W/cm2	100 W/cm2	100 W/cm2
外形尺寸
有效孔径	10 mm Ø	10 mm Ø	5 mm Ø
尺寸	38.1O x 27.4D mm	38.1O x 27.4D mm	38.1O x 27.4D mm
重量(仅头部)	130 g	130 g	130 g

规格参数可能变更,变更将不另行通知
a. 值取决于功率计表头或监视器
b. 标值,取决于环境电磁干扰和波长