真空高温烘箱的必要性：
在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

真空高温烘箱一般工作流程：
首先确定工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

真空高温烘箱特点：
美观耐用性：内采用SUS不锈钢，外采用A3钢板，喷塑处理；       
使用安全性：加厚的保温层，良好的保温性能，隔热、节能；     
控制稳定性：智能微电脑控制仪表，数字显示，控温精度高、准确；      
高性能：巧妙的风道设计，温度均匀度高；    
实用性：强力门扣加特制的密封材质，确保箱内密封效果优良；     
可靠性：完善的安全保护装置，适合长期连续运行。

真空高温烘箱箱体结构：
1)本设备由室体、真空系统、保护系统、电气控制系统等组成
2)箱体采用*的机械设备制作、工艺*、线条流畅，美观大方
3)内箱材质为3mm厚优质不锈钢拉丝板经抛光处理，加强胫进行加固。外箱材质为1.2mm厚优质冷轧钢板经表面特殊处理后静电喷涂而成。
4)门与门框之间采用高性能密封材料及的硅橡胶密封结构，密封、抗老化性好。
5)箱内设有不锈钢活动样品架，可拆卸易清洗。