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电压击穿测量仪(ZJC-50E计算机控制)
一、交直流试验的切换
(1) 电气、介电强度试验机器高压输出为交流电压。直流的获得方式为在原回路中串入高压硅堆,使测试回路为脉动 的直流电压。实现的过程为,硅堆已经在高压变压器的高压绝缘塔中,平时用一个短路杆把高压硅堆短接。 需要直流试验时,取出短路杆,使高压硅堆接入测试电路中,这时回路的电压为脉动的直流电压。
(2) 试验的交直流电压切换,主要取决于高压绝缘塔中的短路杆是否取出。当取出短路杆时,高压 均压球上的电压为直流电压,插入短路杆时,高压均压球上的电压为交流电压。短路杆的取出、插入参看 左侧的示意图。
(3) 在直流试验时,计算机也要选择直流状态,否则测的结果是不正确的。简单的说,交流电压与 直流电压有根号2倍的关系。
二、击穿形式
根据击穿的发展过程,固体电介质的击穿可分为3种形式:电击穿、热击穿和电化学击穿,同一种电介质中发生何种形式的击穿,取决于不同的外界因素。随着击穿过程中固体电介质内部的变化,击穿过程可以从一种形式转变为另一种形式。
1.1 电击穿
取决于固体电介质中碰撞电离的一种击穿形式。电场使电介质中积聚起足够数量和足够能量的带电质点,导致电介质丧失绝缘性能。对于电击穿有以下几种不同的理论解释:本征击穿、电子崩击穿和电致机械应力击穿,通常以本征击穿代表电击穿,所以电击穿有时又称本征击穿。本征击穿过程所需时间为10-8s数量级,击穿场强大于1MV/cm。
1.2 热击穿
在电场作用下,固体电介质承受的电场强度虽不足以发生电击穿,但因电介质内部热量积累、温度过高而导致失去绝缘能力,从而由绝缘状态突变为良导电状态。
1.3 电化学击穿
在电场、温度等因素作用下,固体电介质发生缓慢的化学变化,性能逐渐劣化,最终丧失绝缘能力,从而由绝缘状态突变为良导电状态。电化学击穿过程包括两部分:因固体电介质发生化学变化而引起的电介质老化;与老化有关的击穿过程。
固体电介质发生缓慢化学变化的原因多种多样。直流电压下,固体电介质因离子电导而发生电解,结果在电极附近形成导电的金属树枝状物,甚至从一个电极伸展到另一个电极。在电场作用下,固体电介质内部的气泡中,或不同固体电介质之间的气隙或油隙中,会发生局部放电。与固体电介质接触的电极边缘场强较强的局部区域内如有气体或液体电介质,这里也会发生局部放电。局部放电的长期作用会使固体电介质逐步损坏。
电场越强,温度越高,电压作用时间越长,固体电介质的化学变化进行得越强烈,其性能的劣化也越严重。
固体电介质的化学变化通常使其电导增加,这会使固体电介质的温度上升,因而电化学击穿的最终形式是热击穿。
影响因素:影响固体电介质击穿电压的主要因素有:电场的不均匀程度,作用电压的种类及施加的时间,温度,固体电介质性能、结构,电压作用次数,机械负荷,受潮等。
三、电压击穿测量仪标准及规范
标准号 | 标准名称 |
GBT1408.1-2016 | 绝缘材料电气强度试验方法第1部分:工频下试验 |
GBT1408.2-2016 | 绝缘材料电气强度试验方法第2部分:对应用直流电压试验的附加要求 |
IEC60060-1-2010& | 高电压试验技术第1部分:一般定义及试验要求 |
IEC60060-2-2010& | 高电压试验技术第2部分:测量系统 |
JB/T9641 | 试验变压器 |
GB1094.1~GB1094.5 | 电力变压器 |
GB/T.311.1 | 高压输变电设备的绝缘与配合 |
GB/T509 | 电力变压器试验导则 |
GB4208 | 外壳防护等级 |
GB/T191 | 包装储运图示标志 |
DL/T848.2 | 高压试验装置通用技术条件第2部分:工频高压试验装置 |
GB5273 | 变压器、高压电器和套管的接线端子 |
DL/T846.1 | 高电压测试设备通用技术条件第1部分:高电压分压器测量系统 |
GB/T11920 | 电站电气部分集中控制装置通用技术条件 |
GB/T5582 | 高压电力设备外绝缘污秽等级 |
IEC60-1 | 高电压试验技术 |
JB/T8638 | 调压器试验导则第一部分 |
JB8749 | 调压器的通用技术要求 |
JB/T7067 | 柱式调压器 |
JB/T501 | 电力变压器试验导则 |