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作为下一代功率半导体，GaN和SiC因将功率损耗减半和轻量化而备受关注。
SiC功率器件存在晶体缺陷，但通过使用SCM-100解决此问题，可以快速观察和分类。
SCM-100 能够将预编程电流施加到 SiC 样品中晶体管的内置二极管。由于施加电流时电流不流动的部分（缺陷）不发光，因此它是一种可以通过安装在显微镜上的相机拍照来发现缺陷的设备。SiC样品的表面可以用显微镜放大，可见光区域的发射可以用相机监测，以观察原位缺陷的生长情况。可以以*佳间隔拍摄和保存图像。可选的 Pelche 冷却水冷却单元将 SiC 器件样品台的温度保持在 80°C 以下。
