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等离子体增强沉积炉
CNT等离子体增强沉积炉是专业生长高质量石墨烯、碳纳米管、二维硫化钼的专用设备,也可用用于碳化硅、金属薄膜、陶瓷薄膜其他材料的生长,已经广泛应用于航空航天、微电子、生物医药、纳米材料等领域。
※产品结构:
等离子体增强沉积炉主要由预热炉(用于气体预热、固体原料蒸发)、等离子射频发生器、高温生长腔体、石英管、石英支架、气路系统、真空系统、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、预热炉可以给进入真空腔体的气体或材料提前预热、固体原料蒸发,预热温度范围室温~8 00℃(可根据工艺的实际需要进行调整);
2、等离子射频发生器,输出功率 5 -500W可调 ,频率:13.56 MH
3、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架,
4、加热腔体采用进口陶瓷纤维加热器,均温区200mm、对开式结构;
5、加热炉体配有移动滑轨,可左右移动;
6、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;
7、气路系统采用多路质量流量计,配预混系统;
8、真空系统采用机械泵,可选配扩散泵或分子泵机组;
9、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;
10、气体种类:N2、H2、CH4、C 2H4D、 He/Ar 、C2H2、 NH3 、N2, H2、 PH3 、GeH4、 B2H6 等
11、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;
12、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。
参数名称 | 单 位 | 型 号 | ||||||||
PECVD-6-12 | PECVD-8-12 | PECVD-10-12 | PECVD-15-12 | PECVD-200-12 | ||||||
额定功率 | KW | 5 | 5 | 5 | 9 | 12 | ||||
额定电压 | V | 220 | 380 | |||||||
工作温度 | ℃ | ≤1100℃ | ||||||||
冷态真空度 | Pa | 真空度:10pa (标配机械泵) | ||||||||
可选配分子泵机组 真空度可达 6x10-3pa | ||||||||||
预热区长度 | mm | 200mm | ||||||||
预热区温度 | ℃ | 室温~800℃ | ||||||||
加热区长度 | mm | L=450mm | ||||||||
恒温区长度 | mm | L=200mm | ||||||||
石英管尺寸 | 直径 | Φ60 | Φ80 | Φ100 | Φ150 | 200 | ||||
长度 | L=1500(直径和长度可根据实际需要非标订做) | |||||||||
等离子射频发生器 | 1、输出功率: 5 -500W可调 2、稳定性为:+/-1% 3、射频电源频率:13.56 MH 4、反向功率: 200W 5、射频电源电子输出口: 50 Ω, N型半导体 , 阴极 | |||||||||
气路系统 |
| 3路质量流量计(可拓展多路) | ||||||||
炉膛材料 | V | 进口陶瓷纤维 | ||||||||
加热元件 |
| HRE | ||||||||
升温速率 | ℃/min | ≤30℃/min | ||||||||
控温精度 | ℃ | ±1℃ | ||||||||
炉体移动 |
| 加热炉配有滑轨、可左右移动 | ||||||||
外形尺寸 | 配滑轨 | 1850×600 × 1450 | 1850×600 × 1450 | 1850×600 × 1450 | 1850×650 × 1500 |
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重 量 |
| 180kg | 210kg | 260kg | 280kg | 320kg | ||||
气路系统 |
| 采用三路质量流量计、精确控制气体的流量
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生长腔体 |
| 采用进口高纯石英管、配石英支架、方便气体更好的流入 | ||||||||
真空系统 |
| 配机械泵、为二维材料生长提供一个低真空环境,配手动微调阀,可保持低压环境 | ||||||||
加热炉体 |
| 采用进口的陶瓷纤维,提供一个高温环境。炉体配滑轨、可移动炉体 | ||||||||
控制系统 |
| 采用10寸触摸屏或工控机自动控制,模块采用西门子plc模块,自动手动可随意切换 | ||||||||
冷水系统 | 选配 | 采用闭环冷却系统,冷却系统循环压力1.2-1.7(bar),制冷量 4200K/car/hr,出口温度可调(5-35℃);冷凝器为翅片结构,水箱容积40L,制冷剂采用环保型。 |