— 产品特性 —
01.BL-HE-DH261是一个锁存型的霍尔效应开关IC，采用*的BiCMOS制程制造，具有优异的温度稳定性和很
高的抗机械应力性能，产品工作温度可以达到125℃。采用动态失调消除技术以及芯进电子保护的温度
补偿技术，大幅降低了由于封装应力，环境温度变化等因素造成的失调电压，使产品磁灵敏度持高度的一致性。
02.BL-HE-DH261包含稳压输出模块，霍尔薄片，信号放大模块，动态失调消除模块以及带有限流保护的功率输
出级。当磁场南极靠近BL-HE-DH261TO标识面，磁场强度达到阈值时，功率管导通，输出低电平。当磁场北极
靠近BL-HE-DH261TO标识面，磁场强度达到阈值时，功率管截止，输出高电平。内置的稳压输出电路模块可以
让芯片工作在2.5V至28V电源电压范围。
03.BL-HE-DH261提供TO-92S和TSOT23-3两种封装，均符合RoHS规范，使用环境温度范围为-40~125℃。
— 产品介绍 —
— 产品尺寸 —
— 电气特性 —
| 产品参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 平均值 | 值 | 单位 |
| 电源电压 | VDD | -- | 2.5 | -- | 28 | V |
| 静态电流 | IDD | 25℃，VDD=12V | -- | 2 | -- | mA |
| 输出饱和电压降 | VSAT | 25℃，Iout=20mA | -- | -- | 0.4 | V |
| 输出限流值 | Ilimit | -- | 30 | -- | 60 | mA |
| 上升时间 | tr | RL =820Ω, CL=20pF | -- | 0.2 | -- | μs |
| 下降时间 | tf | RL =820KΩ, CL=20pF | -- | 0.1 | -- | μs |
| 反向电流 | IRDD | VDD=-40V | -- | -- | 5 | mA |
| 内置上拉电阻阻值 | Rpullup | -- | -- | 15 | -- | KΩ |
— 应用产品 —