BL-SAN-OSP150N04

BL-SAN-OSP150N04

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具体成交价以合同协议为准
2022-03-03 15:17:47
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产品简介

BL-SAN-OSP150N04 样品申请 ......

详细介绍


— 产品特性

01.BL-SAN-OSP150N04 可以有效地改善通常场效应管的磁输出阻抗,同时降低静态电流和噪声。已经在很多

应用场合取代了双极型晶体管。

02.脉冲调制或脉幅调制PWM/PFM控制IC。为脉冲频率调制或脉冲宽度调制控制器,用于驱动外部开关。

03.BL-SAN-OSP150N04 三端负调节器采用内部限流和热关断,使它们基本上独立。如果提供足够的散热器,

它们可以提供高达100毫安的输出电流。

04.它们被广泛用作固定电压调节器,包括用于消除与单点调节相关的噪声和配电问题的本地或卡上调节。此外,

它们可以与功率传递元件一起用于制造大电流电压调节器。

— 产品介绍

— 产品尺寸

— 额定值(Ta=25℃)

项目符号单位
漏源电压VDSS40V
栅源电压VGS±20V
漏极持续电流ID150A
漏极单次脉冲电流IDM600A
功率损耗PD166W
结温TJ175

— 电气特性

参数符号测试条件最小值平均值单位
漏极击穿电压BVDSSID =250µA,
VGS =0V,Tj = 25℃
40----V
栅极开启电压VGS(th)VDS =V GS ,ID =250μA2--4V
漏源导通电阻RDS(on)VGS=10V,ID=75A--530
栅极漏电流IGSSVGS=±20V,VDS=0----±200nA
零栅极电压漏极电流IDSSVDS=100V,VGS=0V----20μA
正向跨导gfsVDS=40V,ID=0A--110--S
开启延迟时间Td(on)VDD=20V,ID=95A,
RG=2.5Ω RD=0.21Ω
--17--ns
上升时间Tr--140--ns
关闭延迟时间Td(off)--72--ns
下降时间Tf--26--ns
栅极总电荷QgVDS=32V,VGS=10V
ID=95A
--160200nC
栅源极电荷Qgs--35--nC
栅漏极电荷Qgd--4260nC
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