TLV1805-Q1 高压比较器提供宽电源范围、推挽输出、轨到轨输入、低静态电流、关断能力和快速输出响应的*组合。所有这些特性使该比较器非常适合需要在正或负电压轨进行检测的应用，例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和使用推挽输出级驱动的过压保护电路p 沟道或 n 沟道 MOSFET 开关的栅极。

高峰值电流推挽输出级是高压比较器所有的，其优势在于允许输出以快速边沿速率主动驱动负载至任一电源轨。这在需要将 MOSFET 栅极快速驱动为高电平或低电平以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻抗关断等其他特性使 TLV1805-Q1 足够灵活，可以处理广泛的应用。上电复位可防止上电时出现错误输出。

TLV1805-Q1 采用 6 引脚 SOT-23 封装，符合 AEC-Q100 标准，规定可在 –40°C 至 +125°C 的汽车 1 级温度范围内运行。

AEC-Q100 符合以下结果：

器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度

设备 HBM ESD 分类级别 2

设备 CDM ESD 分类级别 C6

3.3V 至 40V 电源范围

低静态电流：135 µA

高峰值电流推挽输出

具有反相保护的轨到轨输入

内置迟滞：14mV

250ns 传播延迟

低输入失调电压：500 µV

关闭高阻抗输出

上电复位 (POR)

SOT-23-6 封装