SUNX激光位移传感器 HL-G1

HL-G108-A-C5SUNX激光位移传感器 HL-G1

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具体成交价以合同协议为准
2022-02-11 10:46:59
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产品简介

SUNX激光位移传感器 HL-G1:HL-G103-A-C5;HL-G105-A-C5;HL-G108-A-C5;HL-G112-A-C5 激光位移传感器 HL-G1

详细介绍

HL-G103-A-C5;HL-G105-A-C5;HL-G108-A-C5;HL-G112-A-C5;SUNX激光位移传感器

传感器规格

型号

 

HL-G103-A-C5

HL-G105-A-C5 HL-G108-A-C5 HL-G112-A-C5
测量中心距离 30mm 50mm 85mm 120mm
测量范围 ±4mm ±10mm ±20mm ±60mm
分辨率 0.5μm 1.5μm 2.5μm 8μm
直线性 ±0.1% F.S.
温度特性 ±0.08% F.S./℃
光源   红色半导体激光(投光峰波长度655nm)
输出 zui大输出:1mW
激光
等级
2级(JIS/IEC),Ⅱ级(FDA Laser Notice No.50)
光束直径(注2) 0.1×0.1mm 0.5×1mm 0.75×1.25mm 1.0×1.5mm
受光元件 CMOS图像传感器
电源电压 24V DC±10% 含脉动0.5V(P-P)
消耗电流 100mA以下
取样周期 200μs、500μs、1ms、2ms
模拟输出 电压 输出范围:0~10.5V(正常时)、11V(报警时) 输出阻抗:100Ω
电流 输出范围:3.2~20.8mA(正常时)、21.6mA(报警时) 负载阻抗:300Ω以下
输出

(OUT1
OUT2
OUT3)
  判断输出或者警报输出(设定切换式)
NNPN晶体管·开路集电极/PNP晶体管·开路集电极(切换式)

<选择NPN输出时>
?zui大流入电流:50mA
?外加电压:3~24V DC(输出-0V间)
?剩余电压:2V以下(流入电流50mA时)

<选择PNP输出时>
?zui大流出电流:50mA
?剩余电压:2.8V以下(流出电流50mA时)
输出动作 ON时(输出动作时)打开
短路保护 配备(自动复位式)
NP切换输入 连接0V时:NPN输出动作 连接电源用24V DC时:PNP输出动作
时间输入 选择NPN输出动作时:连接到0V时动作,或者在连接过程中动作(因设定而异)
选择PNP输出动作时:连接外部电源+时动作,或者在连接过程中动作(因设定而异)
多重输入 根据输入时间执行零设置、零设置关闭、复位、教导、激光控制
选择NPN输出时:根据连接到0V的时间
选择PNP输出时:根据连接到外部电源+的时间
指示灯 激光投光指示灯 绿色发光二极管 激光投光时亮起
警报指示灯 橙色发光二极管 因光量不足导致无法检测时亮灯
输出指示灯 黄色发光二极管×3
数字显示部 红色发光二极管 5 1/2位显示
耐环境性 保护构造 IP67
使用环境温度 -10~45℃(应无结冰) 存储时:-20~60℃(应无结冰)
使用环境湿度 35~85%RH(应无凝露) 存储时:35~85%(应无凝露)
使用环境照明度 白炽灯:受光面照明度3,000lx以下 (注3)
使用高度 2,000m以下
污染度 2
绝缘电阻 所有电源连接端子与外壳之间,20MΩ以上,基于DC250V的高阻表
耐电压 AC1,000V 1分钟,所有电源连接端子与外壳之间
耐振动 耐久频率:10~55Hz(周期:1分钟)  双振幅1.5mm  X, Y, Z方向各2小时
耐冲击 500m/s2(约50G) 方向各3次
电缆 0.1mm2 带10芯橡胶绝缘电缆5m
材质 本体外壳:PBT、全面盖板:丙烯基、电缆:PVC
重量 本体重量:约70g(不含电缆)、约320g(含线缆)、包装重量:约380g
附件 激光警告标签:1套

(注1): 当未明确测量条件时,使用条件如下。电源电压:24VDC,周围温度:20℃,取样周期:500μs,平均次数:1,024次,测量中心距离,由白陶瓷制成的被测物体,模拟输出。
(注2): 测量中心距离处的数值。以中心光强度的1/e2(约13.5%)定义这些值。如果定义范围外有光泄漏,并且检测点外围的反射率高于检测点本身,则结果可能会受到影响。
(注3):受周围使用照度影响的波动量为±0.1%F.S.以下。

高功能型

型号 HL-G103-S-J HL-G105-S-J HL-G108-S-J HL-G112-S-J
检测中心距离 30mm 50mm 85mm 120mm
检测范围 ±4mm ±10mm ±20mm ±60mm
分辨率 0.5μm 1.5μm 2.5μm 8μm
线性度 ±0.1% F.S.
温度特性 ±0.08% F.S./℃
光源   红色半导体激光(投光峰波长:655nm)
输出 zui大输出:1mW
激光
等级
等级Ⅱ(FDA Laser Notice No.50)
光束直径(注2) 0.1×0.1mm 0.5×1mm 0.75×1.25mm 1.0×1.5mm
受光元件 CMOS图像传感器
电源电压 24V DC±10% 含脉动0.5V(P-P)
消耗电流 100mA以下
取样周期 200μs、500μs、1ms、2ms
模拟输出 电压 输出范围:0~10.5V(正常时)、11V(报警时) 输出阻抗:100Ω
点流 输出范围:3.2~20.8mA(正常时)、21.6mA(报警时) 负载阻抗:300Ω以下
输出

(OUT1
OUT2
OUT3)
  判断输出或者警报输出(设定切换式)
NPN晶体管·开路集电极/PNP晶体管·开路集电极(切换式)

<选择NPN输出时>
?·zui大流入电流:50mA
?外加电压:3~24V DC(输出-0V间)
?剩余电压:2V以下(流入电流50mA时)

<选择PNP输出时>
?zui大流出电流:50mA
?剩余电压:2.8V以下(流出电流50mA时)
 
输出动作 ON时(输出动作时)打开
短路保护 配备(自动复位式)
NP切换输入 连接0V时:NPN输出动作 连接电源用24V DC时:PNP输出动作
时间输入 选择NPN输出动作时:连接到0V时动作,或者在连接过程中动作(因设定而异)
选择PNP输出动作时:连接外部电源+时动作,或者在连接过程中动作(因设定而异)
多重输入 根据输入时间执行零设置、零设置关闭、复位、教导、激光控制
选择NPN输出时:根据连接到0V的时间 选择PNP输出时:根据连接到外部电源+的时间
通信接口 RS-422或RS-485(切替式)
速率:9,600/19,200/38,400/115,200/
230,400/460,800/921,600 bps
数据长8bit、停止位长1bit、无奇偶校验、
有BCC、数据区分:CR
指示灯 激光投光指示灯 绿色发光二极管激光投光时亮起
警报指示灯 橙色发光二极管因光量不足导致无法检测时亮灯
输出指示灯 黄色发光二极管×3
数字显示部 红色发光二极管 5 1/2位显示
耐环境性 保护构造 IP67(连接器除外)
使用环境温度 -10~45℃(应无结冰) 存储时:-20~60℃(应无结冰)
使用环境湿度 35~85%RH(应无凝露) 存储时:35~85%(应无凝露)
使用环境照明度 白炽灯:受光面照明度3,000lx以下 (注3)
使用高度 2,000m以下
污染度 2
绝缘电阻 所有电源连接端子与外壳之间,20MΩ以上,基于DC250V的高阻表
耐电压 AC1,000V 1分钟,所有电源连接端子与外壳之间
耐振动 耐久频率:10~55Hz(周期:1分钟)  双振幅1.5mm  X, Y, Z方向各2小时
耐冲击 500m/s2(约50G) X, Y, Z方向各3次
电缆 带14芯连接器橡胶绝缘电缆0.5m
电缆延长 使用选配件(另售)的延长电缆zui多可延长至全长20m
材质 本体外壳:PBT、全面盖板:丙烯基、电缆:PVC
重量 本体重量:约70g(不含电缆)、约110g(含电缆)、包装重量:约160g
附件 激光警告标签:1套

(注1) :未时的检测条件如下:电源电压:24V DC、周围温度:20℃、取样周期500μs、平均次数:1024次、检测中心距离、对象物体:白色陶瓷、模拟输出。
(注2) :该值为检测中心距离上的值。以中心光强度的1/e2(约13.5%)定义这些值。如果定义区域外有光泄漏,并且检测点周围有高于检测点本身的强反射,检测结果可能会受到影响。
(注3) :周围环境照明度所引起的变动在±0.1%F.S.以下。

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