KMT32B-TD磁阻角度传感器  德国现货

KMT32B是一款基于各向异性磁阻效应的磁场传感器，也就是说，这款传感器可独立于磁场强度感应磁场方向，适用于磁场强度 H>=25 kA/m 的情况。传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量 45 度。

KMT32B 磁场传感器适合在常规磁场强度 H0 ≥ 25 kA/m 的情况下（例如，在室温下距离为 5.2 mm 时，来自 Magnetfabrik Bonn 的磁体 67.044 生成的磁场强度）高精确角度测量应用。 如降低精度，KMT32B 可用于磁场强度 H0 ≥ 14 kA/m 的情况下（室温下，了解地磁场产生的影响！）。大多数磁体的磁场强度随温度改变，但磁场方向不变。

产品类型 : 磁性角度传感器
封装 : SO8, TDFN2.5x2.5
传感范围 (°): 0 – 180°
信号输出 : 无源模拟
典型信号振幅 (mV/V): 11

KMT32B磁阻传感器  特点：非接触式角度位移，非常适合在严苛环境下使用
设计优化的线性
高精度
低成本、低功耗
自我诊断
有吸引力的 SMD 封装
在信号估值范围内用户可*控制
宽工作温度范围（-40~+150℃，160℃ 可定制）
RoHS 认证（无铅）