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面议提供全高半长和半高半长尺寸,600GB~3.2TB多种容量;
采用19/20 nm NAND Flash,提供稳定的770K读IOPS和230K写IOPS;
内嵌ECC、动态RAID5引擎,确保数据的高可靠性;
动态RAID算法实现通道间的资源共享,避免因通道失效导致数据丢失;
冷热数据分类与管理,配合*的磨损算法提升使用寿命;
超大保护电容,确保在异常掉电情况下所有数据均能可靠的写入。
ES3000 V2 型号 | 600 | 800 | 1200 | 1600 | 1200H | 2400H | 3200H |
可用容量 | 600 GB | 800 GB | 1,200 GB | 1,600 GB | 1,200 GB | 2,400 GB | 3,200 GB |
读带宽 (GB/s) | 1.55 | 1.55 | 1.55 | 1.55 | 3.1 | 3.1 | 3.1 |
稳定读IOPS (4KB) | 390,000 | 390,000 | 395,000 | 395,000 | 770,000 | 770,000 | 770,000 |
写带宽 (GB/s) | 0.73 | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.46 | 2.05 | 2.2 |
写IOPS (4KB) | 180,000 | 225,000 | 240,000 | 270,000 | 360,000 | 480,000 | 540,000 |
稳定写IOPS (4KB) | 75,000 | 90,000 | 110,000 | 115,000 | 150,000 | 220,000 | 230,000 |
功耗 | 12~21 W | 12~25 W | 12~23 W | 12~25 W | 25~42 W | 25~50 W | 25~55 W |
尺寸 | 半高半长 | 全高半长 |