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标称频率（Fn）： 18.9375 MHz
封装模式： 3×8
调整频差 ：±5~±30ppm at 25℃ ± 2℃
谐振电阻（Rr）： ≤30Ω
负载电容（CL）： 20PF
温度频差（FL-T）： ±30ppm
工作温度范围(OTR)： -10℃ ~ +70℃
储存温度范围(STR)： -40℃ ~ +85℃
激励功率： 10uW
静态电容（Co）： ＜4.0PF
绝缘电阻： ≥500MΩ（DC100V±15V）
测试仪器： KH1240、250B
年老化率： ≤±3ppm
其它： 印字标志清晰；外表光洁，无损伤。
