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EN-2020A半导体器件动态参数测试系统
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。 参考价面议 -
ENX-2020IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试设备
ENX2020IGBT、MOS、二极管雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。 参考价面议 -
EN-30200大功率半导体器件静态参数测试系统
大功率半导体器件静态参数测试系统适合工厂、研究所用做半导体器件及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试，是一款针对大功率器件各种静态参数而研制的智能测试系统。 参考价面议 -
西安厂家EN-3020C IGBT静态全参数测试系统
EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数：其测试范围如下：
1）栅极-发射极漏电流测试 VGES、IGES
2）栅极-发射极阈值电压测试 Vge（th）
3）集电极-发射极电压测试测试 VCES、ICES
4）集电极-发射极饱和电压测试测试 参考价面议 -
功率器件IGBT，MOS测试综合图示系统
功率器件IGBT，MOS测试综合图示系统测试范围
二极管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管 MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双*功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS
达林顿阵列DARLINTON，光电耦合OPTO-COUPLER，继电器RELAY，稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR，光电开关OPTO-S 参考价面议 -
EN-J电源、变频器、逆变器来料筛选测试仪
电源、变频器、逆变器来料筛选测试仪
设备用途
测试分析、器件选型 、筛选检验 、生产线自动批量测试等 参考价面议 -
EN-2005-B院所高校、器件生产厂商功率器件测试仪
院所高校、器件生产厂商功率器件测试仪应用领域
院所、高校、半导体器件生产厂商、
电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、
新能源汽车、轨道机车检修等 参考价面议 -
西安EN-2005B功率器件综合测试系统
测试范围广（19总大类，27分类）
升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A 参考价面议 -
ENG1220IGBT功率循环测试系统
该套测试设备主要可测试以下参数：
热敏电压测试：V f
主电流测试：Ic
集电极电压测试：VCE
阈值电压测试：VGE（th）
温度参数测试：T1、T2
稳态电阻测试：Rth
瞬态电阻测试：Zth 参考价面议 -
EN-2020A半导体器件动态参数测试系统
EN-2020A半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。 参考价面议 -
EN-3020C大功率IGBT静态全参数测试系统
EN—3020C测试系统（以下简称系统）是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统，该系统符合GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。
系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试，是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。 参考价面议 -
EN-2005C功率器件综合测试系统晶体管图示仪
本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。 参考价面议