FF200R12KS4特点
时间：2012-08-23 阅读：1245
产品种类:IGBT模块（三极管）
配置:Dual
集电极—射极击穿电压:1200V
集电极—射极饱和电压:3.2V
集电极zui大连续电流Ic:200A
栅极—射极漏泄电流:400nA
功率耗散:1.4KW
封装/箱体:IS（62mm）
集电极—发射极zui大电压VCEO:1200V
栅极/发射极zui大电压:20V
zui大工作温度:+125C
zui小工作温度:-40C
产品种类:IGBT模块（三极管）
配置:Dual
集电极—射极击穿电压:1200V
集电极—射极饱和电压:3.2V
集电极zui大连续电流Ic:200A
栅极—射极漏泄电流:400nA
功率耗散:1.4KW
封装/箱体:IS（62mm）
集电极—发射极zui大电压VCEO:1200V
栅极/发射极zui大电压:20V
zui大工作温度:+125C
zui小工作温度:-40C