FF200R12KS4特点 时间:2012-08-23 阅读:1330 FF200R12KS4特点: 产品种类:IGBT模块(三极管) 配置:Dual 集电极—射极击穿电压:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 集电极zui大连续电流Ic:200A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率耗散:1.4KW 封装/箱体:IS(62mm) 集电极—发射极zui大电压VCEO:1200V 栅极/发射极zui大电压:20V zui大工作温度:+125C zui小工作温度:-40C