MOV与通用型压敏电阻性能要求的主要区别
时间：2012-12-15 阅读：682
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MOV与通用型压敏电阻性能要求的主要区别
限压型SPD使用的MOV芯片几何尺寸大、通流容量要求高，残压比要求小。例如34×34mm芯片要求8/20μs标称通流In 20kA、Imax 40kA/2次；而Φ20通用型压敏电阻zui大通流容量为10kA/1次；前者瞬间电流密度为34.6A/mm2 ，后者为31.8A/mm2，二者相差10%；前者需经受二次不损坏，而后者仅需一次；前者制作成SPD后还需经受热平衡考验（指MOV芯片分別流过2mA-的工频交流电流），所以前者焦尔热容量要求比后者要大很多。由于几何尺寸大，形状异，电气性能要求高，SPD用MOV芯片在制造工艺及电气参数特性上有其特殊性。这二种产品性能要求的侧重异同见下表：
在此重点介绍一下SPD用MOV芯片要重视热容量的理由：SPD的热脱离原理是利用MOV芯片失效后在工频负荷的作用下，其泄漏电流不断增大导致芯片发热将热脱离机构的低熔点合金焊接点熔化脱离切断电路以达到保护目的，MOV芯片自身还存在热熔击穿的问题，一旦MOV芯片被热熔击穿，就成了一个阻值很低的导体，造成系统短路，有时会起弧使模块内的物质迅速气化、压力骤增造成爆炸、喷火燃烧，损毁设备、建筑。故热脱离机构必须在MOV芯片被热熔击穿前实现脱离，热容量大的MOV芯片在被热熔击穿前可坚持更长的时间以保证热脱离机构的低熔点合金焊接点熔化，此即要重视MOV芯片热容量的理由。对同种材料来说，一般只能通过增加物质量来提高热容量，在径向尺寸固定的情况下，则只有增大轴向尺寸即芯片厚度来增大其热容量；但是芯片厚度增加同时带来了残压升高的问题，故对芯片的性能要求应当综合平衡，不可过分强调其一。