超纯水纯度*的水。集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。此外，其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水。

晶片切割用高纯水设备

超纯水：既将水中的导电介质几乎*去除，又将水中不离解的胶体物质、气体及有机物均去除至很低程度的水。电阻率大于18MΩ*cm，或接近18.3MΩ*cm极限值。
超纯水,是一般工艺很难达到的程度，采用预处理、反渗透技术、超纯化处理以及后级处理四大步骤，多级过滤、高性能离子交换单元、超滤过滤器、紫外灯、除TOC装置等多种处理方法，电阻率方可达18.25MΩ*cm

超纯水是美国科技界为了研制超纯材料(半导体原件材料、纳米精细陶瓷材料等)应用蒸馏、去离子化、反渗透技术或其它适当的超临界精细技术生产出来的水，这种水中除了水分子(H20)外，几乎没有什么杂质，更没有细菌、病毒、含氯二恶英等有机物，当然也没有人体所需的矿物质微量元素，一般不可直接饮用，对身体有害，会析出人体中很多离子。

晶片切割用高纯水设备工艺流程超纯水，目前的主要工艺流程

　　1.预处理----复床 ----混床---抛光树脂
　　2.预处理----反渗透---混床---抛光树脂
　　3.预处理----反渗透----EDI膜块----抛光树脂
中国国家实验室分析用水标准

中国国家实验室分析用水标准（GB6682-92）《分析实验室用水规格和实验方法》：
　　指标名称 一级水 二级水 三级水
　　1级水>10MΩ；2级水>1MΩ；3级水>0.2MΩ
　　PH值范围（25℃） - - - - 5.0-7.5
　　比电阻MΩ.cm@25℃> 10 1 0.2
　　电导率（25℃）us/cm≤ 0.1 1 5
　　可氧化物[以O计]mg/L -- 0.08 0.40
　　吸光度（254nm,1cm光程）≤ 0.001 0.01 --
　　二氧化硅（mg/L） 0.02 0.05 --
　　蒸发残渣（mg/L） -- 1.0 2.0

纯水、高纯水、超纯水的区别：

纯水

纯水是指既将水中易去除的强电介质去除，又将水中难以除去的硅   

超纯水

酸及二氧化碳等弱电解质去除至一定程度的水。纯水的含盐量在1.0mg/L以下,电导率小于50μs/cm。
高纯水

高纯水是指将水中的导电介质几乎全部去除，又将水中不离解的胶体物质、气体和有机物均去除至很低程度的水。高纯水的含盐量在0. 3mg/L以下,电导率小于0. 2μs/cm。

超纯水　
　
 纯度*的水。集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。此外，其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水。超纯水是指下列杂质含量极低的水：①无机电离杂质,如 Ca、Mg、Na、K、Fe、Fe、Mn、Al、HCO婣、CO婣、SO嬄、Cl、NO娱、NO婣、SiO婣、PO等；②有机物,如烷基苯磺酸、油、有机铁、有机铝以及其他碳氢化合物等；③颗粒,如尘埃、氧化铁、铝、胶体硅等；④微生物,如细菌、浮游生物和藻类等;⑤溶解气体, 如N2、O2、CO2、H2S等。超纯水中电离杂质的含量用水的电阻率数值来衡量。理论上,纯水中只有H离子和OH离子参加导电。在25℃时超纯水的电阻率为 18.3(兆欧·厘米)，一般约为15～18（兆欧·厘米）。
超纯水中有机物含量由测定有机物碳含量而定，电子工业超纯水中规定含量为50～200微克／升,并要求直径大于1微米的颗粒性物质每1毫升内含量为1～2个，微生物每1毫升为0～10个。现代采用预处理、电渗析、紫外线杀菌、反渗透、离子交换、超滤和各种膜过滤技术等，使超纯水的电阻率在25℃时达到18(兆欧·厘米)。

依各种原水水质和用户要求的不同，超纯水的制备工艺大体可分为预 处理、脱盐和精处理三步。

预处理 包括砂滤、多介质过滤、软化、加氯、调节pH、活性碳过滤、脱气等。过滤可除去 1～20微米大小的颗粒，软化和调节pH可防止反渗透膜结垢，加氯是杀菌。活性碳过滤是除去有机物和自由氯，脱气是清除溶于水中的CO2等。