FF800R17KE3：

FF800R17KE3品牌：英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）；

产地：源产于*；

批号：2015/2016预订

价格：RMB面议；

数量：258；

深圳市迈瑞施电子技术有限公司O755一328II887 ,Q 十119859,8287

封装形式：IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；

> 650V

产品型号 参数说明 封装形式

IDW10G65C5 10A , 650V , thinQ  5G TO-247

IDW12G65C5 12A , 650V , thinQ  5G TO-247

IDW16G65C5 16A , 650V , thinQ  5G TO-247

IDW20G65C5 20A , 650V , thinQ  5G TO-247

IDW30G65C5 30A , 650V , thinQ  5G TO-247

IDW40G65C5 40A , 650V , thinQ  5G TO-247

> 1200V

产品型号 参数说明 封装形式

IDH02SG120 2A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

IDH05S120 5A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

IDH08S120 7.5A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

IDH10S120 10A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

IDW10S120 10A , 1200V , thinQ  2G TO-247

IDH15S120 15A , 1200V , thinQ  2G TO-220-2

IDW15S120 15A , 1200V , thinQ  2G TO-247

IDW20S120 20A , 1200V , thinQ  2G TO-247

IDW30S120 30A , 1200V , thinQ  2G TO-247

公司拥有大量正规渠道的现货库存，建立起完善的国外采购流程，可接受客户国外代购业务。

1，功率器件：

IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；

2，驱动器件：

CONCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板，

操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元;

3，快速熔断器：

日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN；

4，工业大容量电容：

日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；红宝石，

epcos艾普科斯、电解电容以及美国CDE无感电容；

5，传感器：瑞士LEM电流传感器，电压传感器，霍尔传感器；

中文资料，技术参数， PDF datasheet,图片。