SiC 碳化硅功率器件温度测试,高低温冲击测试
时间：2024-07-30 阅读：120
SiC 碳化硅功率器件温度测试
应用于 AI 人工智能, 新能源, 电动汽车, 消费电子等领域的 SiC 碳化硅功率器件是一种新型的半导体器件, 具有高温, 高频, 高压等优异特性. 为确保 SiC 碳化硅功率器件的性能和质量, 需要进行全面的测试和分析. 上海伯东美国 inTEST 高低温冲击热流仪, 兼容各类半导体测试仪器, 为 SiC 碳化硅功率器件的温度测试提供解决方案.
SiC 碳化硅功率器件的温度测试主要包含以下几个方面：
1. 静态测试: 静态测试一般指电压, 电流, 功率和温度等方面的测试. 温度测试用于评估 SiC 碳化硅器件在通电使用, 带温环境下的工作稳定性, 确保其能够在恶劣环境下稳定工作
2. 可靠性测试: 可靠性测试主要包括寿命测试, 温度循环测试和湿热循环测试等方面. 包括 AEC-Q10, AQG-324 和 JEDEC-JC70 等标准. 这些标准涵盖了从高温反向偏置 HTRB, 高温栅极偏置 HTGB, 温度循环 TC 到高湿高温反向偏压 H3TRB 等多种测试类型, 以确保 SiC 碳化硅器件的质量和可靠性. 温度循环测试用于模拟 SiC 碳化硅器件在不同温度下的工作情况, 以评估其在温度变化环境下的稳定性.
3. 极限能力测试: 极限能力测试主要包括耐压测试, 耐电流测试和耐温度测试等方面. 耐温度测试用于评估器件在恶劣温度条件下的稳定性, 对 SiC 碳化硅器件进行高低温冲击测试, 确保其在温度环境下的可靠性.
上海伯东美国 inTEST 热流仪兼容市面上各类半导体测试机平台, 完成再电测试下的各类测试. 通过对 SiC 碳化硅器件的关键性能进行全面测试和分析, 确保器件的性能和质量, 这也为 SiC 器件的研发和改进提供了重要的技术支持.
inTEST 热流仪可与爱德万 advantest, 泰瑞达 teradyne, 惠瑞捷 verigy, 是德 keysight 等联用, 进行 SiC 碳化硅功率器件温度冲击测试 Thermal shock 和温度循环测试 Thermal cycle.
inTEST 高低温冲击热流仪型号
型号 | BT 28 | ATS-545 | ATS-710E | ECO-710E | ATS-535 |
类型 | 桌面型 | 移动式 | 移动式 | 移动式 | 移动式 |
温度范围 °C | -28 至 +225 | -75 至 + 225 | -75至+225 | -80 至 +225 | -60 至 +225 |
变温速率 | -10 至 +125°C, 约 10 S | -55 至 +125°C 约 10 S | -55 至 +125°C 约 10 s | -55 至 +125°C, ≤ 10S | -40至+ 125°C < 12 s |
空压机 | 根据应用选配 | 额外另配 | 额外另配 | 额外另配 | 内部集成空压机 |
控制方式 | 触摸屏 | 旋钮式 | 触摸屏 | 触摸屏 | 旋钮式 |
气体流量 scfm | 14 | 4 至 18 | 4 至 18 | 4 至18 | 5 |
温度显示和分辨率 | +/- 0.1°C | ||||
温度精度 | 1.0°C（根据 NIST 标准校准时） | ||||
电源 | 200-230V +/-10% VAC, 50 Hz, 15 A | 200-250VAC | 200-250VAC | 200-250VAC | 220±10%VAC |
美国 inTEST ThermoStream 系列高低温冲击热流仪, 温度冲击范围 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防静电设计, 不需要 LN2 或 LCO2 冷却, 温度显示精度: ±1℃, 通过 NIST 校准. 通过 ISO 9001, CE, RoHS 认证. inTEST 热流仪提供适用于 RF 射频, 微波, 电子, 功率器件, 通信芯片等温度测试, 满足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯东是美国 inTEST 中国总代理.
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