InGaAs点元探测器

LD-GAP500InGaAs点元探测器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2023-08-18 08:30:45
3462
产品属性
关闭
西安立鼎光电科技有限公司

西安立鼎光电科技有限公司

中级会员7
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

InGaAs点元探测器三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分,可以使光电探测器的响应度在终用户所要求的波长条件下达到大值,从而提高信噪比。

详细介绍

InGaAs点元探测器三元体系InAs/GaAs 的带隙涵盖从InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范围。通过改变InGaAs 吸收层的合成成分,可以使光电探测器的响应度在终用户所要求的波长条件下达到大值,从而提高信噪比。

常规InGaAs点元探测器

Pin characteristics(Ta=25)

parameter

unit

Typical value

Active aperture

mm

1

2

3

package

——

TO-46

6CLCC

TO-39

8CLCC

TO-39

4CLCC

Wavelength range

μm

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

Modol No.(LAPD-)

---

1000

1000S

1000-C

1000S-C

2000

2000S

2000-C

200S-C

3000

3000-C

R@0.65um.0V

A/W

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

0.05

R@0.85um.0V

A/W

0.20

0.50

0.20

0.50

0.20

0.50

0.20

0.50

0.20

0.20

R@1.31um.0V

A/W

0.9

R@1.55um.0V

A/W

1.0

Shunt resistance

MW

50

25

10

Dark current@-5V

nA

5

10

25

capacitance@0V

pF

80

170

400

600

1500

2500

NEP@1.55um

pW/Hz1/2

0.02

0.04

0.06

             

常规InGaAs光电晶片

Pin characteristics(Ta=25)

parameter

unit

Typical value

Active aperture

mm

1

2

3

thickness

μm

300

Wavelength range

μm

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

0.5-1.7

0.9-1.7

Modol No.(PIN-)

---

1000

1000s

2000

2000s

3000

R@0.65um.0V

A/W

0.05

0.35

0.05

0.35

0.05

R@0.85um.0V

A/W

0.20

0.50

0.50

0.50

0.20

R@1.31um.0V

A/W

0.9

R@1.55um.0V

A/W

1.0

Shunt resistance

MW

80

25

10

Dark current@-5V

nA

5

10

25

capacitance@0V

pF

140

500

1500

NEP@1.55um

pW/Hz1/2

0.02

0.04

0.06

波长扩展型InGaAs探测器

Paremeter

Active areamm

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP500

0.5

1.7um

0.95@1550nm

0.8x10-14

30 @5V(nA)

TO46

LD-GAP1000

1

1.7um

0.95@1550nm

1x 10-14

100 @5V(nA)

TO46

LD-GAP2000

2

1.7um

0.95@1550nm

3 x10-14

200 @1V(nA)

TO5

LD-GAP3000

3

1.7um

0.95@1550nm

5 x10-14

500 (@1V(nA)

TO5

LD-GAP5000

5

1.7um

0.95@1550nm

28 x10-14

10mA(@0.3V(nA)

TO5

LD-GAP300-1.9

0.3

1.9um

0.9/1.0

3 x10-14

0.1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-1.9

0.5

1.9um

0.9/1.0

9 x10-14

0.9@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-1.9

1

1.9um

0.9/1.0

0.13 x10-12

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-1.9

2

1.9um

0.9/1.0

0.26x10-12

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-1.9

3

1.9um

0.9/1.0

0.38 x10-12

22.5@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.05

0.3

2.05um

0.9/1.0

5.7 x10-14

0.5@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.05

0.5

2.05um

0.9/1.0

8.1 x10-14

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

23.4 x10-14

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.05

2

2.05um

0.9/1.0

42.8 x10-14

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.05

3

2.05um

0.95/1.1

90.7 x10-14

12@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.2

0.3

2.2um

0.9/1.0

0.14x10-12

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.2

0.5

2.2um

0.9/1.0

0.22x10-12

5@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

0.46x10-12

10@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.2

2

2.2um

0.9/1.0

1.28 x10-12

40@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.2

3

2.2um

0.9/1.0

2.87x10-12

100@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.6

0.3

2.6um

0.9/1.0

0.81x10-12

13@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.6

0.5

2.6um

0.9/1.0

1.43x10-12

20@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

2.03x10-12

80@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.6

2

2.6um

1.0

3.31x10-12

320@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.6

3

2.6um

1.0

5.74x10-12

500@0.5V(uA)

TO5

提供专业定制,封装形式多样,可根据客户要求选择封装形式,并可依据需求定制TE制冷产品。

Paremeter

Active areamm

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP1000TE1

1

1.7um

0.95/1.0

5.4x10-15

3@5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1

2

1.1x10-14

20@2V(nA)

LD-GAP3000TE1

3

1.1x10-14

50@2V(nA)

LD-GAP5000TE1

5

2.4x10-14

100@0.1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

5.4x10-14

500@1V(nA)

 

 

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.05

2

1.3x10-13

1100@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.05

3

3.2x10-13

1360@1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

1.6x10-13

1250@1V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.2

2

1.1x10-12

5000@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.2

3

5.5x10-13

6250@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

6x10-13

8000@0.5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.6

2

9.8x10-13

32000@0.5V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.6

3

1.7x10-12

50000@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2

1

1.7um

0.95/1.0

3.7x10-15

2@5V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2

2

5.3x10-15

10@2V(nA)

LD-GAP3000TE2

3

7.5x10-15

20@2V(nA)

LD-GAP5000TE2

5

1.7x10-14

50@0.1V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

3.7x10-14

200@1V(nA)

 

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.05

2

9.6x10-14

240@1V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.05

3

2x10-13

700@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

1.2x10-13

700@1V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.2

2

2.9x10-13

2900@1V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.2

3

4.1x10-13

3600@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

4x10-13

3600@0.5V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.6

2

6.5x10-13

14500@0.5V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.6

3

1.1x10-12

22700@0.5V(nA)

上一篇:短波红外相机在天文导航中的应用 下一篇:短波红外的科普知识
热线电话 在线询价
提示

请选择您要拨打的电话: