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倍增结构、光侵入式室温型HgCdTe探测器
PVMI-n（n表示特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置工作在8～12微米的范围内，特别用于大范围探测。他们的高性能和稳定性可以通过近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。
倍增结构、光侵入式室温型HgCdTe探测器参数：
特性（@ 20ºC） | 单位 | LD-PVMI-8 | LD-PVMI-10.6 |
特性波长λop | μm | 8 | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥6 x 108 ≥3 x 108 |
≥2 x 108 ≥1 x 108 |
响应度–at λop | A*mm/W | ≥0.04 | ≥0.01 |
响应时间τ | ns | ≤4 | ≤1.5 |
电阻 | Ω | 50-300 | 20-150 |
光学面积（长 × 宽） | mm× mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | |
工作温度 | K | 300 | |
视场, F# | deg | 36, 1.62 | |
