倍增结构室温型HgCdTe探测器
倍增结构室温型HgCdTe探测器

LD-PVM系列倍增结构室温型HgCdTe探测器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2023-08-18 08:04:04
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西安立鼎光电科技有限公司

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产品简介

倍增结构室温型HgCdTe探测器特点
室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;低成本;可根据客户要求设计。

详细介绍

倍增结构室温型HgCdTe探测器简介

PVM-nn表示特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器,这些装置专门用于大范围内的探测,工作在812µm的范围。他们的高性能和稳定性可以通过近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

倍增结构室温型HgCdTe探测器规格

特性(@ 20ºC)

单位

LD-PVM-8

LD-PVM-10.6

特性波长λop

μm

8

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥1.2E8

≥6E7

 

≥2E7

≥1E7

响应度(at λop*)

A·mm/W

≥0.008

≥0.002

响应时间τ

ns

≤4

≤1.5

电阻

Ω

50-300

20-150

光学面积(矩形长×宽)

mm x mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

工作温度

K

300

视场, F#

Deg

90, 0.71

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