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光侵入式室温型HgCdTe探测器简介：
PVI-n（n表示特性波长，单位是微米）系列探测器是红外光电探测器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置在2～11µm范围内的任意值可以达到好的性能。他们的高性能和稳定性可以通过近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。
光侵入式室温型HgCdTe探测器规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | LD-PVI-3 | LD-PVI-4 | LD-PVI-5 | LD-PVI-6 | LD-PVI-8 |
特性波长λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥5E10 ≥5E10 |
≥3E10 ≥2E10 |
≥1.5E10 ≥9E9 |
≥8E9 ≥4E9 |
≥8E9 ≥4E8 |
响应度 | A/W | ≥0.5 | ≥1 | ≥1 | ≥1 | ≥0.3 |
响应时间τ | ns | ≤350 | ≤150 | ≤120 | ≤80 | ≤4 |
响应时间τ(加反向偏压) | ns | ≤3 | ≤1 | ≤0.7 | ≤0.5 | ≤0.7 |
并联电阻-光学面积 | Ω·cm 2 | ≥100 | ≥6 | ≥1 | ≥0.2 | ≥0.01 |
光学面积（长×宽） 或直径(圆形) | mm x mm mm | 0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3 | ||||
工作温度 | K | 300 | ||||
视场, F# | deg | 36, 1.62 | ||||
