EN-2020A瑞士LEMSYS 替代品 易恩IGBT动态参数测试仪
EN-2020A半导体器件动态参数测试系统,该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统,适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。 参考价面议EN-3020C美国ITC 替代品 易恩大功率IGBT静态测试仪
EN—3020C测试系统(以下简称系统)是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统,该系统符合GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。EN-2005C日本岩崎 替代品 易恩晶体管特性曲线图示仪
IV曲线显示/局部放大EN-MOS西安厂家直供大功率MOS动静态测试系统
此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。 参考价面议DBC-226高精度大功率晶闸管综合测试仪
晶闸管综合参数测试系统,是大功率晶闸管测试的重要检测设备,该设备具ENS1040栅电荷测试系统
西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的*。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统、功率器件图示系统、晶体管图示仪、雪崩、浪涌、热阻集成电路测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、 参考价面议EN-AC1220厂家直供功率器件动态参数测试单元
EN-AC1220型功率器件动态参数测试单元,是一款专为功率器件测试用户设计开发 的低成本、组合式、低电感、高精度、手动测试单元。可实现对IGBT、MOS FET、二极 管的多种动态参数的精确测试。EN-ZXSM厂家直供正向寿命试验台
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)作为功率开关器件,具有载流密度大、饱和压降低等EN-GWFP大功率高温反偏试验台
IGBT高压反偏试验是在一定温度条件(125℃)下,按照规定的时间和电压,对IGBT施加反偏电压,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。EN-GWZD西安厂家直供高温阻断试验台
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置, 作交流阻断(或反偏)耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反 偏耐久性试验、高温漏电流测试(HTIR)和老炼筛选。 参考价面议EN-AC1220功率器件动态参数测试单元
EN-AC1220IGBT试验台系列
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。 参考价面议