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IXYS快恢复MEE250-12DA快恢复二极管模块二极管
IXYS二极管
IXYS可控硅
MCC可控硅
IXYS整流桥
IXYSMOS管
MEO快恢复二极管
DSEI快恢复二极管
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MEO、MEK、MEA、MEE系列快恢复二极管模块
IXYS晶体管模块 IXYS电力半导体模块 IXYS可控硅 IXYS可控硅模块
IXYS整流桥 IXYS整流桥模块 IXYS三相整流桥 IXYS单相整流桥
IXYS快恢复二极管 IXYS快速二极管 IXYS快恢复二极管模块 IXYS MOSFET
IXYS MOS管 IXYS MOS管模块 IXYS IGBT模块 艾赛斯晶体管模块
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艾赛斯 MOS管模块 艾赛斯 IGBT模块
MDD26-14N1B
MCC200-16iol
MCC44-14IO8B
MCC162-16io1
MCC56-16io1B
MCC310-16io1
MCO600-22io1
IXFE180N10
DSEI30-12A
IXFE180N20
MCC19-14io1B
MCD255-16IO1
MDD95-08N1B
IXFN34N100
DSEI30-06A
DSEI60-06A
DSEI60-12A
IXTH460P2
VUO160-16N07
MCD224-20IO1
IXFE180N15
MEE75-12DA
VV240-16IO1
MCD500-16IO1
大卫快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。
使用注意事项
1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。
2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。
3)测正向导通压降时,必须使用R×1档。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中,如果选择R×1k档测量,正向电阻就等于2.2kΩ,此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V,远低于正常值(0.6V)。