什么是IGBT
时间：2014-09-05 阅读：1058
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。
IGBT模块是一种电压控制器件，它的集电极（C极）和发射极（E极）之间导通与否，取决于控制极（G极）与发射极（E极）之间的电压信号。
用万用表可以粗略地判断IGBT管是否已经损坏，正常的IGBT模块的情况如下：
接入正向控制电压
将万用表的黑表笔接至IGBT的集电极（C极），红表笔接至IGBT的发射极（E极），同时，在控制极（G极）与发射极（E极）之间接入正向电压。这时，IGBT的C-E极之间应该是导通的。
撤销控制电压
撤销G-E极间的正向电压，因为G－E极间的阻抗很大，控制极上的电荷不能立即消失，故在一段时间内，C－E极之间将保持导通状态。
接入反向控制电压
在G-E极之间接入反向电压，则IGBT的集电极（Ｃ极）与发射极（E极）之间应该是截止的。
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