英飞凌PIM模块FP15R12KT3 FP15R12KE3到货
工艺：IGBT3 Fast/IGBT3
封装：EasyPIM 2
特性：PIM模块（功率集成模块:三相桥 + 七单元 + 温度传感器）
饱和压降:1.7 V
厂家:英飞凌

IGBT的串并联
   
    A、 并联目的是增大使用的工作电流，但器件要匹配，每块Vce之差 < 0.3V，还要降流使用，对600V的降10%Ic，1200-1400V的降15%Ic，1700V的降20%Ic，这组值指≥200A的模块，并要取饱和压降相等或接近的模块才行。栅控电路要分开，除静态均流外，还有动态均流问题，并使温度相接近，以免影响电流的均衡分配，因IGBT是负阻特性的器件。
    B、 串联的目的是增高使用的工作电压，其要求比并联更高，主要是静态均压及动态均压问题，尤其是动态均压有一定难度。成都佳灵公司提出的容性母板技术（1+N）只串联动态电压箝位均压方式已处于工业实验阶段。若动态均压不佳，要造成串联臂各器件上的Vce电压不等，造成一个过压影响同一臂一串电击穿。
    C、 总之IGBT的串并联应尽量避免，不要以低压小电流器件，通过串并联企图解决高电压大电流，这样做法往往失得其反，而器件增多可靠性更差，电路亦复杂化等，在不得而已的条件下，要慎重。目今单个IGBT的电压或电流基本能满足用户的需要，随着时代发展电路的改进，将会有更高电压，更大电流的功率器问世，这是必然的。