1、集电极与发射极间的过压保护：

1）直流过压产生的原因是由于前一级输入发生异常：解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计，另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，保证IGBT的安全。

2）浪涌电压的保护因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt。如果VCESP超出IGBT的集电极-发射极间耐压值VCES，就可能损坏IGBT。当遇到这个问题时，可以采取以下方法解决：在选取IGBT时考虑设计裕量；在电路设计时调整IGBT驱动电路的Rg，使di/dt尽可能小；尽量将电解电容靠近IGBT安装，以减小分布电感；根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。

2、IGBT栅极的保护：

IGBT的栅极-发射极驱动电压VGE的保证值为±20V，如果超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中设置栅压限幅电路。另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极-发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使IGBT发热甚至损坏。为防止此类情况发生，应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十kΩ的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。

1）在需要用手接触IGBT前，必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉；

2）在焊接作业时，为了防止静电可能损坏IGBT，焊机一定要可靠地接地。

3、集电极电流过流保护：

1）用电阻或电流互感器检测过流进行保护：可以用电阻或电流互感器与IGBT串联，检测流过IGBT集电极的电流。当有过流情况发生时，控制执行机构断开IGBT的输入，达到保护IGBT的目的。

2）由IGBT的VCE(sat)检测过流进行保护：因VCE(sat)=IcRCE(sat)，当Ic增大时，VCE(sat)也随之增大，若栅极电压为高电平，而VCE为高，则此时就有过流情况发生，此时与门输出高电平，将过流信号输出，控制执行机构断开IGBT的输入，保护IGBT。

3）检测负载电流进行保护：若负载短路或负载电流加大时，也可能使前级的IGBT的集电极电流增大，导致IGBT损坏。由负载处(或IGBT的后一级电路)检测到异常后，控制执行机构切断IGBT的输入。

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