由于IGBT模块为MOSFET结构. IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20 ~ 30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:

      在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;尽量在底板良好接地的情况下操作。

      在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极*大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

      此外，在栅极-发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随著集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。

      在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常 或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态) ,若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏，为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接-只10K2左右的电阻。

      在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为减少接触热阻, *好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不佳时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。