AE-F*薄膜压力传感器芯体。采用离子束溅射技术
直接淀积在17－4PH弹性元件上（SiO2保护层、NiCr合金电阻
层、Au焊盘，总厚度小于4um），刻蚀形成金属应变电阻，彻
底实现敏感元件无机的一体化，克服了有机胶带来的蠕变、滞后
和老化现象，大大提高了产品的精度和*稳定性，可* 在-40～150℃工作温度下稳定工作。。AE-F*薄膜压力传感器芯体。采用离子束溅射技术
直接淀积在17－4PH弹性元件上（SiO2保护层、NiCr合金电阻
层、Au焊盘，总厚度小于4um），刻蚀形成金属应变电阻，彻
底实现敏感元件无机的一体化，克服了有机胶带来的蠕变、滞后
和老化现象，大大提高了产品的精度和*稳定性，可* 在-40～150℃工作温度下稳定工作。。AE-F*薄膜压力传感器芯体。采用离子束溅射技术
直接淀积在17－4PH弹性元件上（SiO2保护层、NiCr合金电阻
层、Au焊盘，总厚度小于4um），刻蚀形成金属应变电阻，彻
底实现敏感元件无机的一体化，克服了有机胶带来的蠕变、滞后
和老化现象，大大提高了产品的精度和*稳定性，可* 在-40～150℃工作温度下稳定工作。。