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FJ8-D10PK霍接近传感器
原理:
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为U=Kk·I·B/d。其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦兹力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。
由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电xin号,同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。
霍尔开关的输入端是以磁感应强度B 来表征的,当B值达到一定的程度(如B1)时,霍尔开关内部的触发器翻转,霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出,和接近开关类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双极性)、双信号输出之分
FJ8-D10PK霍接近传感器
开关分类
1、单极霍尔效应开关(数字输出)
2、双极霍尔效应开关(数字输出)
3、双极锁存型霍尔效应开关(数字输出)
4、全极霍尔效应开关(数字输出)
5、线性霍尔效应传感器IC(模拟输出)
6、微功耗型霍尔效应开关(数字输出)
应用:
1、电子式水表、气表、电表和远程抄表系统
2、控制设备中传送速度的测量
3、无刷直流电机的旋转和速度控制
4、在工程中测量转动速度和机械上的自动化应用
5、转速仪、速度表以及转子式计量装置