华为“闪存门”背后：存储器自主研发能力亟待加强
- 来源：中国智能制造网
- 编辑：未闻花名
- 2017/5/5 8:45:57
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华为“闪存门”背后：存储器自主研发能力亟待加强
近日华为因P10闪存门事件被推上了舆论的风口浪尖，部分媒体指出华为新旗舰P10/P10 Plus部分使用高速UFS闪存、部分使用低速eMMC闪存，而这两种闪存在读取速度上有较大的差异。为何对质量把控一向严格的华为会出现这种问题，是故意为之还是另有隐情？
闪存门事件发生后，华为时间给出了解释，表示“近期个别社交网络上关于P10 / P10 Plus闪存选用问题，我们同样与业界多家的闪存解决方案供应商紧密合作，共同保障产品品质及用户体验，同时也是为了保障供应的稳定。”逐字逐句进行分析，华为这番话的意思大概是，P10确实存在更换闪存一事，但是这也是为了保障稳定供应，不得已而为之。
从华为的回应来看，这次在“闪存门”中所暴露出来的问题，其实是整个存储器市场现在所面临的窘境。华为消费者业务CEO余承东第二次回应说：“关于P10系列手机闪存同时采用UFS和EMMC两种方案的问题，核心原因是供应链闪存的严重缺货，至今华为手机的Flash存储仍然在缺货之中。”
由于SSD硬盘和手机抢货，闪存从去年下半年就开始紧张，并且这种紧张缺货的状态可能还会延续一年。但是闪存市场资源几乎被少数厂家掌控，目前核心技术依然掌握在三星、SK海力士、美光、闪迪以及东芝这些厂商手中。 NAND闪存市场几乎被上述五大厂瓜分。其中，韩系两大厂商都分别占据和第五的位置，三星拥有33.6%的市场份额，SK海力士为10.1%，而国内还是个空白。
虽然三星、SK海力士、东芝等厂商都在生产，但由于客户多，尤其是UFS这样的闪存更是缺货。这也是东芝要出售内存业务时，苹果使出混身解数联合富士康也要往里面掺一脚的大原因。
业内人士预计，进入2018年以后，存储器短缺的问题将不再那么严重，代工能力也将持续改善。这将迅速导向“企业级硬盘”产品，以及巨大容量的储存SSD (可能使用四位元单元的QLC)。另一方面，随着存储器产业快速过渡至SSD，以及移动至小型储存装置与超融合的基础架构，预计RAID/混合阵列架构衰退的速度将会更快。
唯有自主才能做到可控。面对不可控的闪存市场，好的办法就是打造属于我们自己的闪存。近期，我国在NAND闪存领域取得一定进展，据央视报道我国存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工，该基地总投资240亿美元，计划于2020年全面建成，建成后年产值将超过100亿美元。
据悉，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座单座洁净面积大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
可以说，此次华为P10闪存门事件，不仅给了华为一个教训，对其他中国手机厂商而言也是一次警醒。不可否认，更换闪存是华为自身因素影响，但更深层次的原因是核心零部件受制于人，结果就是被人任意拿捏而无法反抗。因此，只有我们制造业崛起，才能彻底避免类似事件的发生。
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