我国存储之路漫漫几大难题亟待解决
- 来源：eetimes
- 编辑：一不做
- 2016/12/31 8:59:35
- 30370
【中国智能制造网 市场分析】过去几年，中国正在疯狂存储产业，尤其是经历了2016年的兼并整合以后，中国的存储产业初具规模。但就目前看来，中国存储能否大获成功，就得看在来年，包括Intel、三星、美光等的存储产品供应商是否愿意和中国签署相关技术授权协议。
对中国利好的消息是，现在行业内的存储玩家都不想看到三星持续一家独大的现状，中国这波掀起对存储格局的改变，或许会吸引其他相对弱势的厂商给中国提供支持。
IC Insights的分析师指出，随着PC、数据中心服务器、平板、智能手机和其他设备的兴起，中国对DRAM和Flash的渴求达到了一个的阶段。所以他们在“十三五规划”里把发展存储放在一个重要的位置。
面临的难题
但坦白说，中国现在的技术储备，是撑不起中国现在的存储野心的。其实随着后续IoT和AI应用的大量兴起，存储需求是会大量攀升的，对于中国来说，如何迅速获得核心技术，就成为中国存储产业关注的首要问题。
据分析，中国存储还是需要关注以下问题：
(1)中国能否自主设计和生产存储芯片？
(2)如果中国不能自主设计，能否买到有相关技术的公司？
(3)如果美国CFIUS拒绝中国对其本土企业发起的并购，中国还可以从哪里获得相关技术？
另外还有一个重要的问题，那就是足够是否能够笼络到一批经验足够丰富的存储相关工程师，以撑起其发展的野心。
但换个角度看，存储供应商同样面临困扰(包括美国本土的)。他们需要思考的是一旦中国不想跟他们玩，他们的未来能怎么办？
这不仅仅是中国市场的问题，还有一点就是随着技术的发展，研发成本支出也越来越大，对于一些稍欠缺点竞争力的厂商，他们还需要考虑怎样才能活下去。不差钱的中国恰好能够解决这两个问题。
美国硅谷一个不具名的半导体高层表示，如果美光和东芝不和中国达成某种合作，他们应该是先受到冲击的。
另一个问题是，假设中国真的如期推出了其存储产品，那么在未来几年，市场势必会面临NAND和Flash产能过程的问题。
IC Insights近的指出，2016年存储的资金支出大增，但根据过去的观察，这往往会带来产能过剩和单价下探的反效果。
这也是中国搅局市场，带来的另一个重要影响
纵观的存储市场，尤其是在热门的3D NAND FLASH市场，有三星、SK海力士、美光、Intel、东芝/闪迪、XMC/长江存储和众多新进的中国玩家。IC Insights也认为未来3D NAND Flash的市场需求是非常高的，并将会持续增长的。
而在这些玩家之中，三星在其中国西安的工作制造相关的3D NAND Flash产品，SK海力士则在无锡生产DRAM，而Intel也在今年年初，把其大连工厂转成3D NAND Flash生产基地。
需要提一下的是，中国的晶圆代工厂SMIC从很多年前开始，就逐步停止DRAM业务。
从现在看来，中国本土的存储产业虽然有点弱小，但是中国大张旗鼓的建设，大基金和政府的支持，这是存储领域不能忽视的新兴力量。
从IC Insights的报告我们得知，中国现有的存储势力包括：
(1)长江存储，这是清华紫光在今年7月收购XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圆厂已经动工，产线预计2017年底或者2018年初投入使用。
(2)兆易创新和中芯前CEO王宁国打造的合肥长鑫，专攻DRAM，预计2017年7月动工。
(3)福建晋华项目，强攻DRAM，由当地政府和联电携手打造。预计2018年第三季度量产。
下面我们来深入了解一下：
中国存储的重要玩家——长江存储
长江存储可以说是清华紫光求购两个美国公司不成的选择。
在2015年，清华紫光向美光科技发起了一个230亿美元的收购邀约，之后又向西部数据一个38亿美元的投资协议，但这两个发起统统都被美国政府方面否定。于是紫光集团将目光瞄向了本土的XMC，在今年7月收购后者之后，成立了长江存储。
这次的并购释放出了一个明显的信号，那就是无论多困难，中国也不会放弃其发展存储的野心。
XMC本来是由杨士宁(后辞去武汉新芯CEO职位)运营的，之前一直为Spansion(现已被Cypress收购)生产nor flash。在2015年初，XMC宣布和Spansion携手开发3D NAND Flash。另外，XMC同样也为兆易创新生产Nor Flash。
新的长江存储计划投入240亿美元，分三个阶段建设一个300mm Fab，现在阶段的建设已经开工，预计总体建设工程会在2019年完成。相关人士指出，长江存储将会在2017年底量产32层的3D NAND FLASH，产能达到30万片每月。而技术则可能来自于Spansion。
但对于这种说法，我是有些疑问的。
在和很多日本从业者交流过之后，他们给我的反馈就是，他们对于XMC所说的3D NAND Flash相关技术存有疑问的。他们认为，虽然给出了计划表，但实际上NAND FLASH什么时候能够真正量产，都是一个未知之数。
他们更倾向于相信XMC正在加紧开发3D NAND FLASH技术。因为Spansion的3D NAND FLASH从来没有量产过，很多业者认为，他们的技术还不够成熟。
就算到XMC真的能拿出32层的3D NAND FLASH技术，并按时量产。但届时三星和其他玩家甚至可能拿出了100层以上的3D NAND Flash，或者将存储方向转向了Intel正在推的3D Xpoint。虽然是有差距，但是对中国来说，也是一个大突破。
而根据行业专家观点，长江存储未来在存储上的投入至少达千亿规模。
怎么获取技术？
如果真如我们所说，XMC的3D NAND Flash技术不够可靠，那么对于长江存储来说，可能的选择是什么？
假设中国又不能从美国人手上买到一个存储芯片公司(如美光)，中国将怎么获取到存储的核心技术？JV是一个好选择么？
换种方式，假设中国真不能买到美光，又能否获得美光的相关Flash技术授权？市场是也有传言中国将会和美光签订相关的合作协议。
IC Insight的分析师认为，由于美国、日本和韩国等的层层阻挠，中国是不可能轻易能收购到这些国家的企业，甚至相关合作也会是困难重重，所以中国获得先进的NVM技术和先进DRAM技术的过程，一定是困难重重的。
他还指出，根据存储的发展规律，现在似乎也进入了存储产业的周期性转移阶段，中国能否效仿当年的韩国从日本手上抢来存储产业，将同样的故事在韩国的身上重演，我们保留观察。但我们眼见的就是中国台湾在过去二十年的存储尝试是失败的。
从现状看来，授权应该是中国获得相关技术的可行方式了。授权是好的一个途径。而根据中国过往的产业发展经验，这也是有成功经验可参考的。
例如美光曾经将一些卖给了技术研究机构和授权公司Round Rock Research LLC，他们拥有丰富的产品线，而产品布局也贯穿整个亚洲、美洲和欧洲。这是中国可以获取的一个方向。
另外，美光还和很多企业有交叉授权，中间有些公司就能提供相关的授权服务。这些公司当中就包括了Quatela Lynch McCurdy。
我们认为XMC迟早会获得相关技术授权，区别只是时间迟早、价格高低以及合作条件的问题。
至于具体会获得哪些技术，分析人士指出，美光的3D NAND FLASH是应该没问题的，但是在Intel和美光共同开发的3D Xpoint上。相关人士指出，现阶段Intel是不会轻易点头的。
但从某个角度看，这也并非是不可能。因为中国和这些跨国巨头的合作非常紧密。
大家应该还记得在2014年，Intel和紫光集团的一个深度的合作。所以一切都是有可能的。
中国DRAM的前景又如何？
据作者了解到，按照早期规划，长江存储原本是想既做Flash，又做DRAM的。但经过了几个月的运营，形势逐渐明朗，长江存储还是只专注于做NAND Flash。
但是DRAM对中国来说，同样重要，所以中国也不会忽视。另外跟FLASH相比，DRAM的供应商更少，且什么的更集中，竞争对手少，但是强大。
联电和福建政府打造的晋华项目，就是瞄准DRAM而去的。双方的合作在今年五月份宣布的，这个合作是中国半导体建设的一个重要组成部分。
根据合作协议，联电会在中国台湾成立一个百人规模的研发团队，而福建晋华则提供研发所需的资金。根据分析人士透露，联电本身对于进入DRAM是没有什么兴趣，但他们看好和中国合作伙伴共同推进先进技术后带来的收益。
晋华项目将投资56.5亿美元在晋江建立一个300mm晶圆厂，投入先进存储技术的研发。计划2018年9月试产，并达到月产6万片的规模。据透露，初期将会导入32nm制程。
韩国等着，中国来啦
业界传言，三星、SK海力士和美光之间有一个私下协议，就是联手阻碍中国存储的崛起。
但是另外也有人指出，除三星外的其他供应商对于三星长达十数年的存储感到厌烦，他们希望联合中国把三星拉下马。
很多硅谷芯片专家也指出，如果在不久的将来，某个或几个厂商和中国合作，目的就是为了打破三星的垄断，这也不会让人惊讶。
韩国人，中国来了，做好准备吧!
但对于中国存储来说，就算拿到了技术，未来还有很多路要走，因为他们的目标是爬上阵型和厂商并驾齐驱，甚至寻机超越。
而这则是一个漫长、艰苦且耗资巨大的过程。
(原标题：漫漫存储路 中国还有几道关卡待过)
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