国产光刻机65nm节点有望突破！5~10年内研发重点在哪？
- 来源：智能制造网整理
- 2024/10/10 17:17:59
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2024年10月9日消息，阿斯麦(ASML)相关负责人近日公开表示，英特尔已经在波特兰工厂完成两台High NA EUV光刻机(单台设备的售价约为3.5亿美元)的安装。
据悉，High NA EUV光刻机所需的所有基础设施已经到位并开始运行，并且用于High NA EUV光刻机的光刻掩模检测工作也已经按计划开始进行。
光刻机被誉为集成电路产业“皇冠上的明珠”，是制造手机、电脑等电子芯片的关键机器设备。阿斯麦(ASML)作为光刻机领域龙头企业，几乎垄断了目前全球光刻机的市场份额，其在全球半导体产业链发展中有着重要地位。
此外，还有Nikon、Canon，同样也是全球光刻机产业发展的关键性企业，与阿斯麦(ASML)一起占据着绝大部分的市场份额。
那，国产光刻机发展如何呢？
目前国产化率不足3%，核心原因主要在于零组件供应与整机技术与海外差距较大。不过，近期也传出技术突破的好消息！
2024年9月，工业和信息化部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。在电子专用设备集成电路生产装备方面，氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。
氟化氪光刻机核心技术指标：
晶圆直径：300mm；
照明波长：248nm；
分辨率≤110nm；
套刻≤25nm；
氟化氩光刻机核心技术指标：
晶圆直径：300mm；
照明波长：193nm；
分辨率≤65nm；
套刻≤8nm；
有业内人士表示，国产氟化氩光刻机(套刻≤25nm)的数据与阿斯麦(ASML)旗下TWINSCAN XT：1460K最为接近。
目前光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机，主要有i-Iine(汞线)、KrF(氟化氪)、ArF(氟化氩)、ArFi(浸润式氟化氩)、EUV(极紫外)五大类。
9月10日，上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称：上海微电子)公开了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利。该专利的申请日期为2023年3月9日，涵盖了极紫外辐射发生装置及其在光刻设备中的应用。
上海微电子的专利发明旨在提供一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，用于高效且简便地收集带电粒子以提高收集器镜的使用寿命。
智能制造网了解到，极紫外光刻技术(EUV lithography)是一种使用波长为13.5纳米的极紫外光作为光源的下一代光刻技术，广泛应用于半导体制造中，是面向7nm及以下节点的主流光刻技术。
东海证券认为，目前国产光刻机整机技术与海外差距较大，5~10年内90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键。智能制造网坚信，只要不断提高技术研发，相信我国也会很快研发出浸润式光刻机，甚至是EUV光刻机！
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