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进军相干光传输市场!这家光电大厂推出高功率DFB激光芯片

来源:OFweek激光网
2024/9/12 10:42:08
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导读:HieFo的HCL30是一款1毫米腔长的芯片,提供裸片或安装在专有底座上的芯片载体(COC)格式。该设备在提供150 mW典型光输出功率的同时,能够实现小于300 KHz的光谱线宽性能。
  近日,光通信领域的企业瀚孚光电(HieFo)正式推出了其HCL30 DFB激光芯片,专为满足相干光传输的严苛要求而设计。
 
  这款芯片融合了高效光输出功率的窄线宽性能,提供O波段与C波段的多个行业标准波长选择,为数据中心、人工智能连接、通信及通用传感等领域带来了性能提升。
 
  HieFo联合创始人兼首席执行官Genzao Zhang博士表示:“HCL30 DFB激光芯片是专为‘Coherent Lite’市场需求开发的;然而,基于HieFo最近在芯片设计方面的创新,这款激光芯片的性能将广泛应用于数据中心、人工智能连接、通信以及通用传感等领域。”
 
  HieFo的HCL30是一款1毫米腔长的芯片,提供裸片或安装在专有底座上的芯片载体(COC)格式。该设备在提供150 mW典型光输出功率的同时,能够实现小于300 KHz的光谱线宽性能。
 
  HCL30是今天基于硅光集成设计的高度集成光学平台中理想的集成解决方案。新兴的CPO(共封装光学)和LPO(分布式光学)技术也可以利用这款新发布的激光芯片的独特性能。
 
  HCL30是HieFo在最近的InP芯片设计架构创新中推出的首款新型DFB激光产品。未来还将推出其他产品变种,以满足特定的光学设计需求,例如超高光输出功率的高效设计或极窄线宽性能。
 
  推出下一代高功率增益芯片HGC20
 
  此前不久,HieFo还推出了用于集成可调谐激光器组件(xITLA)的下一代高功率增益芯片HGC20。
 
  芯片设计解决了市场对更高光输出功率和更低电能消耗的关键需求。HieFo的HGC20 C+波段增益芯片作为下一代集成可调谐激光器(xITLA)的基础构件,设立了新的性能标杆。
 
  Genzao Zhang博士表示:“HGC20增益芯片的推出,是HieFo未来几个月和几年中将为光通信市场带来的创新的一个例子。”
 
  他补充称:“HieFo在芯片基础设计上进行了显著的增强改进,这将成为InP基芯片广泛应用的基础,推动下一代数据中心、通信和AI连接市场的光互连。”
 
  HGC20是一款1毫米腔长芯片,安装在专有底座上,光输出功率可接近22dBm(取决于驱动电流)。对于需要较低模块整体功耗的应用,HGC20的高效设计使其墙插效率(WPE)相较于市面上常见的增益芯片提升了多达40%。
 
  HieFo的增益芯片技术已成为可调谐激光器市场的基础构件超过15年。HGC20在频率精确性、窄线宽和低噪声等性能参数上继续保持行业地位。
 
  收购光电器件厂商EMCORE资产
 
  HieFo公司总部位于美国加州,近期该公司通过管理层收购,继承了全球最大的航空航天和国防工业惯性导航解决方案提供商EMCORE在光电子器件领域超过40年的创新遗产。
 
  HieFo现专注于开发和商业化用于光通信行业的高效光子器件,并将继续追求最具创新性和颠覆性的解决方案,以服务于数据通信、通信、人工智能连接和通用传感行业。
 
  据悉,今年4月30日,HieFo向EMCORE购买了后者的芯片业务和磷化铟(InP)晶圆制造业务,总购买价格为292万美元。
 
  此次包括转让与EMCORE非核心已停产芯片业务线相关的几乎所有资产,包括其在加利福尼亚州阿尔罕布拉市的InP晶圆制造业务中使用的资产,包括但不限于设备、合同、知识产权和库存。
 
  HieFo最初将转租其阿尔罕布拉基地的一栋完整的建筑和另一栋建筑的一部分,最终将转租两座完整的建筑,并从2024年7月1日开始按比例支付这些建筑的租金。
 
  HieFo还成功聘请了EMCORE已停产芯片业务的几乎所有关键科学家、工程师和运营人员,并将继续在EMCORE Alhambra园区开展业务。
 
  铟磷化物芯片工厂恢复生产
 
  HieFo近期宣布,其位于加利福尼亚州阿罕布拉的铟磷化物(InP)晶圆制造工厂已于2024年8月23日成功重启生产,此举紧随其从EMCORE公司管理层收购晶圆制造及芯片相关业务资产之后。该收购于2024年5月初顺利完成,HieFo随即接手运营。
 
  通过此次交易,HieFo不仅吸纳了EMCORE原有的关键科学家、工程师及运营精英团队,还继承了超过四十年的InP芯片设计与制造领域的全球领导地位,以及丰富的先进光电子器件知识产权。
 
  值得注意的是,EMCORE曾计划退出InP芯片业务,导致晶圆制造业务一度暂停。但HieFo凭借经验丰富的核心团队及雄厚的资金实力,迅速恢复了阿罕布拉园区的生产活动。
 
  过去三个月里,HieFo团队全力以赴,重启了闲置设备,恢复了MOCVD反应器的外延晶圆生长与再生能力,重启了前端微制造工艺,并在后端构建了完善的器件测试、芯片准备及分离流程。
 
  目前,HieFo生产的InP基器件(包括激光器、增益芯片、SOA、PIN/APD探测器等)已通过严格的可靠性验证测试,其性能、质量与可靠性均达到甚至超越了既定标准。
 
  尤为值得一提的是,HieFo已准备好一款新设计的芯片投入量产,该芯片被设计为支持高达1.6Tbps的单载波波长收发器,展现了其技术创新的实力。多家领先的光模块制造商已向HieFo抛出橄榄枝,预订其高效光器件。这一成就标志着HieFo在推动电信、数据通信及AI连接行业创新解决方案方面迈出了坚实的一步。
 
  HieFo公司首席执行官对此表示:“我们无比欣喜地宣布阿罕布拉工厂光器件生产的全面恢复,这不仅是HieFo对高性能光芯片生产连续性与卓越性承诺的生动体现,更是我们持续引领行业发展的坚定信心。”

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