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三星开始量产首款3nmExynos芯片：GalaxyS25有望首发

导读：据外媒报道，三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC)，预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。

　　5月7日消息，据外媒报道，三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC)，预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。

　　据悉，这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和Synopsis的多个IP块。

　　据报道，三星使用Synopsys.ai EDA软件来提高芯片性能和产量。

　　此外，工程师还使用Synopsys Fusion Compiler(电子设计自动化工具)来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积。

　　三星和Synopsis声称，后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz，同时将功耗降低10%。

　　这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合(MSCTS)、智能线优化和更简单的分层方法。

　　三星以前生产的芯片在持续使用情况下，常常会出现耗电量大和性能下降的问题，如今三星推出的GAA技术，有望解决这类问题。