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三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

导读：三星的DRAM芯片制造工艺目前处于1b，后续还有1c、1d，都是10nm级别,大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM。

　　4月4日消息，3D晶体管正在各种类型芯片中铺开，3D DRAM内存也讨论了很多年，但一直没有落地。如今三星公开的路线图上，终于出现了3D DRAM。

　　三星的DRAM芯片制造工艺目前处于1b，后续还有1c、1d，都是10nm级别。

　　再往后的10nm以下节点，将分别命名为0a、0b、0c、0d，其中打头的0a工艺预计2027年底-2028年初量产(月产能超过2万块晶圆)，0d则要到2032年。

　　就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。

　　大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。