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英特尔和联华电子宣布合作开发12nm半导体制程平台预计2027年投产

导读：据外媒报道，当地时间周四，英特尔和联华电子宣布，他们将合作开发12nm半导体制程平台，以满足移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。

　　1月26日消息，据外媒报道，当地时间周四，英特尔和联华电子宣布，他们将合作开发12nm半导体制程平台，以满足移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。

　　新的12nm节点将利用英特尔在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验，将在英特尔位于美国亚利桑那州的三个晶圆厂(Fabs 12、Fabs 22和Fabs 32)进行开发和制造，预计在2027年投入生产。

　　据外媒报道，英特尔位于美国亚利桑那州的三家晶圆厂已经在生产其现有的10nm和14nm节点，但这两个节点在生产中使用了许多相同的工具，英特尔也将在新的12nm生产中使用其中的许多工具。

　　随着英特尔在2027年开始生产新的12nm节点，这三个晶圆厂将逐步停止10nm和14nm节点的生产，从而为新节点腾出产能。

　　英特尔是为数不多的既设计又制造自己芯片的半导体公司之一，而高通和苹果等竞争对手的芯片设计依赖于代工制造商。

　　2021年初，英特尔重振其芯片代工制造业务，并将其更名为“英特尔代工服务”(Intel Foundry Services，简称IFS)，目标是与台积电和三星竞争。

　　在过去一年里，英特尔代工服务取得了重大进展，它与新客户建立了强劲的合作势头，并扩大了其不断增长的代工生态系统。IFS预计今年将继续取得进展。

　　本周三，英特尔宣布其位于新墨西哥州的尖端封装工厂Fab 9正式开业，该工厂采用了先进的芯片封装技术，包括3D封装技术 Foveros。