台积电已在研发1.4nm制程工艺预计2027到2028年量产,1.4nm制程工艺,晶体管-智能制造网

台积电已在研发1.4nm制程工艺预计2027到2028年量产

导读：从外媒最新的报道来看，除了在按计划推进2025年量产的2nm制程工艺，台积电也在研发1.4nm制程工艺。

　　12月14日消息，据外媒报道，在3nm制程工艺量产，开始为苹果代工A17 Pro、M3、M3 Pro和M3 Max芯片之后，台积电制程工艺研发及量产的重点，就将转向更先进的2nm制程工艺，这一工艺是计划在2025年量产。

　　而从外媒最新的报道来看，除了在按计划推进2025年量产的2nm制程工艺，台积电也在研发1.4nm制程工艺。

　　外媒的报道显示，在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，台积电提到了他们的1.4nm制程工艺，透露已在研发，外媒称这是他们首次提及这一制程工艺。

　　虽然台积电方面并未透露1.4nm制程工艺的量产时间和具体参数，但外媒在报道中提到，考虑到2nm制程工艺在2025年量产，N2P制程工艺在2026年年底量产，1.4nm制程工艺预计会在2027年到2028年量产。

　　另外，外媒在报道中还提到，台积电的1.4nm制程工艺是被称为A14，不太可能采用他们在探索的垂直堆叠互补场效应晶体管，预计同2nm制程工艺一样，采用第二代或第三代的全环绕栅极晶体管。

　　同台积电不断提升的制程工艺一样，更先进的1.4nm制程工艺，也将提升晶体管的密度，提升芯片的性能，降低能耗。