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英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗,GaN加速上车“掘金”

来源:盖世汽车
2023/8/17 10:51:24
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导读:作为全球第一家开启8英寸硅基氮化镓量产线的IDM企业,英诺赛科自2018年5月首款低压氮化镓功率器件上市以来,迄今已经成功量产54款高压氮化镓芯片(650V-700V),20款中低压氮化镓芯片(30V-150V),产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类。
  由快充带火的第三代半导体氮化镓(GaN)正以非一般的速度向汽车电子领域拓展,尽管距离GaN大规模上车还为时尚早,但海内外巨头早已扎堆布局,欲享尽此波新能源红利。
 
  国内以英诺赛科为代表的GaN器件制造商,正在此条赛道上狂奔。
 
  8月16日,英诺赛科官方宣布,截至2023年8月,公司氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗。相关产品在消费类(快充、手机、LED),汽车激光雷达,数据中心,新能源与储能领域的多个应用中大批量交付。
 
  作为全球第一家开启8英寸硅基氮化镓量产线的IDM企业,英诺赛科自2018年5月首款低压氮化镓功率器件上市以来,迄今已经成功量产54款高压氮化镓芯片(650V-700V),20款中低压氮化镓芯片(30V-150V),产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类。
 
  面向汽车电子市场的爆发式增长,英诺赛科同样是国内最早布局氮化镓“上车”、第一波“吃螃蟹”的企业——其布局了电动汽车氮化镓充电系统,提出全氮化镓车OBC解决方案;2021年通过IATF 16949车规级认证,采用英诺赛科氮化镓的激光雷达产品已率先应用于自动驾驶汽车;并且,其还已经联合国内及韩国的大型Tier 1厂商共同研发GaN车用项目。
 
  具体产品进度上,2020年,英诺赛科100V低压GaN成功导入禾赛激光雷达并实现量产,驱动激光器实现更短时间内的图像传输;2022年5月,英诺赛科40V低压产品INN040FQ043A被用于首诺信所发布全球最小的45W/65W PD车充上。
 
  2023年4月,英诺赛科低压产品从工业级应用进军到车规级应用,成功进入汽车激光雷达市场;7月,英诺赛科开始将氮化镓应用于新能源光伏发电领域,进一步缩小模块体积,提高系统效率。
 
  可以预见的是,氮化镓应用已经步入快车道,随着市场需求的急剧增长,器件的可靠性与大批量稳定供货成为关键。
 
  据介绍,凭借先进且完善的8英寸硅基氮化镓研发和制造平台,英诺赛科当前产能已达到每月1.5万片。特别在2023年上半年,基于产品的加持与市场的推力,英诺赛科销售额比去年同期增长了500%。
 
  GaN加速掘金汽车电子,巨头扎堆布局
 
  近年来,以碳化硅(SiC)、氮化镓为代表的第三代半导体,在电动汽车中的应用进展如火如荼,特别是碳化硅。而至于氮化镓,其禁带宽度达到3.4eV,能够在减小体积和重量的基础上,有效降低电源系统的开关损耗,提高工作频率和功率密度,实现系统高性能的升级。
 
  相较于氮化镓目前已经在手机快充领域应用“游刃有余”,在汽车电子领域,氮化镓走得要慢很多,而“上车”提速的重要转折点之一,便是在2021年,宝马与GaN功率半导体全球领导厂商GaN Systems合作的开启。彼时,双方签订了合作金额达1亿美元的全面产能协议。
 
  合作先例在前,叠加氮化镓更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率、更优的抗辐照能力以及总成本优势,氮化镓加快“上车”的呼声一浪高过一浪。
 
  现阶段,在电动汽车领域,GaN器件主要占据400V以下应用,在中低端汽车市场具有很大的发展空间。不过,如若未来GaN器件性能能得到大幅改进,实现规模化生产,以及价格达到进一步下探,那么,其在800V以上高压平台的推广也有望逐步实现。
 
  值得一提的是,GaN器件也确实在往高压应用上推进研发。譬如GaNPower向业界展示过首款1200V单芯片(E型GaN功率器件),业界也预测1,200V GaN晶体管将在2025年左右推出。
 
  总体上,氮化镓在汽车领域的潜力不容小觑,也正在逐渐站到舞台的聚光灯下。据TrendForce集邦咨询数据显示,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金增长至2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。
 
  如火如荼的发展态势,放量提价的市场空间,GaN赛道正迎来巨头的扎堆布局与成果展现。除了英诺赛科,比如就在8月3日, GaN Systems便宣布与上海安世博能源科技策略结盟,欲加速并扩大氮化镓功率半导体在电动车应用上的发展。
 
  同日,意法半导体宣布,已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件,在接下来的几个月里,还将推出新款PowerGaN车规器件。
 
  而在5月份,欧洲还确立了一项高达6000万欧元(约合人民币4.55亿元)的氮化镓(GaN)科研项目,由英飞凌牵头,并拉上了其45家合作伙伴,旨在建立从功率芯片到模块的完整供应能力。值得注意的是,仅在去年2月,英飞凌就已经宣布斥资逾20亿欧元,在马来西亚居林工厂建造第三个厂区用于生产SiC和GaN功率半导体。种种动作,足以见得英飞凌对该赛道的押注与看好。
 
  毫无疑问,行业巨头不惜重金接连下场,氮化镓在未来汽车、新能源光伏、储能等多领域的重要性也不言而喻。随着氮化镓提速“上车”,整个产业链也正在加速“掘金”,该赛道或有望加速迎来爆发。

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