三星电子P3晶圆厂推迟到明年建成原计划今年年内建成,晶圆制造,存储芯片,逻辑芯片-智能制造网

三星电子P3晶圆厂推迟到明年建成原计划今年年内建成

导读：从知情人士透露的消息来看，三星电子在10月底，才开始建设晶圆厂的洁净室，NAND闪存生产线的建设，也因此被推迟了一个月。

　　11月14日消息，据国外媒体报道，三星电子计划在年底全面建成的P3晶圆厂，建设延期，将推迟到明年建成。

　　外媒是根据知情人士的透露，报道三星电子P3晶圆厂的建成时间推迟的。

　　从知情人士透露的消息来看，三星电子在10月底，才开始建设晶圆厂的洁净室，NAND闪存生产线的建设，也因此被推迟了一个月。

　　在推迟之后，三星电子这一工厂NAND闪存生产线的洁净室，预计在明年一季度建成。

　　知情人士还透露，NAND闪存生产线的建设推迟一个月，也影响到了晶圆厂其他阶段的建设，将相应的推迟。

　　三星电子P3晶圆厂，是他们到目前为止建设的最大的晶圆厂，在2020年年中开始建设，占地70万平方米。

　　建成时间推迟到明年的三星电子P3晶圆厂，是混合型的晶圆厂，既生产存储芯片，也生产逻辑芯片。